Mitsubishi CM400DY-12H Còn hàng

Các bảng số liệu CM400DY-12H

Mitsubishi IGBT Các mô-đun được thiết kế để sử dụng trong các ứng dụng chuyển đổi. Mỗi mô-đun bao gồm hai IGBT trong cấu hình nửa cầu với mỗi IGBT Transistor có một diode bánh xe tự do phục hồi siêu nhanh được kết nối ngược. Tất cả các thành phần và kết nối được cách ly khỏi tấm đế tản nhiệt, giúp đơn giản hóa việc lắp ráp hệ thống và quản lý nhiệt. Đặc trưng:
Công suất truyền động thấp
.Low VCE (sat)
.Diode bánh xe miễn phí phục hồi siêu nhanh chóng
. Hoạt động tần số cao
. Tấm đế cách nhiệt cho các ứng dụng tản nhiệt dễ dàng:
.AC Motor Control u Motion / Servo Control
.UPS u Nguồn cung cấp điện hàn

Cấu hình Cầu nửa chừng

Vôn - Sự cố Bộ phát tín hiệu Thu thập (Tối đa) 600V

Hiện tại - Bộ sưu tập (IC) (Tối đa) 400A

Sức mạnh tối đa 1500W

Vce (bật) (Tối đa) @ Vge, IC 2.8V @ 15V, 400A

Hiện tại - Thu cắt (Tối đa) 1mA

Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce 40nF @ 10V

Đầu vào Tiêu chuẩn

Nhiệt điện trở NTC Không

Kiểu lắp chassis núi

Gói / Vỏ Mô-đun