Mitsubishi #TM25DZ-H Loại cách nhiệt IGBT Mô-đun
Mitsubishi #TM25DZ-H là loại cách nhiệt IGBT mô-đun được biết đến với hiệu suất cao và độ tin cậy của nó. Nó được thiết kế để xử lý các ứng dụng khác nhau yêu cầu điều khiển và chuyển đổi năng lượng hiệu quả.
Các tính năng chính:
- CNTT (AV) Dòng điện trạng thái trung bình: 25A
- VRRM Đảo ngược đỉnh lặp đi lặp lại Vôn: 400 / 800V
- Cấu hình DOUBLE ARMS để nâng cao hiệu suất
Xếp hạng và Đặc điểm Tối đa: Mô-đun hoạt động theo các xếp hạng tối đa tuyệt đối sau đây ở nhiệt độ 25°C trừ khi có quy định khác:
- Bộ thu-phát Vôn Điện áp: 800V
- Điện áp Gate-Emitter VGES: ±20V
- Dòng thu IC: 25A
- Bộ thu hiện tại Icp: 50A
- Bộ tản nhiệt Pc: 500W
- Điện áp Collector-Emitter VCES: 2500V
- Nhiệt độ mối nối vận hành Tj: +150°C
- Nhiệt độ bảo quản Tstg: -40 đến +125°C
- Mô-men xoắn vít M5 khi lắp: 1.96~2.94 N·m
- Trọng lượng (giá trị điển hình): 160g
Mitsubishi #TM25DZ-H IGBT mô-đun cung cấp khả năng điều khiển và chuyển đổi nguồn đáng tin cậy. Với thiết kế cách nhiệt, nó đảm bảo vận hành an toàn và bảo vệ khỏi các mối nguy hiểm về điện. Định mức dòng điện trạng thái trung bình là 25A giúp nó phù hợp với nhiều ứng dụng nguồn điện khác nhau.
Mô-đun này có thể chịu được điện áp ngược cực đại lặp đi lặp lại là 400/800V, mang lại hiệu suất mạnh mẽ trong các môi trường đòi hỏi khắt khe. Cấu hình DOUBLE ARMS nâng cao hơn nữa khả năng xử lý điện của nó.
Về định mức tối đa, mô-đun có định mức điện áp cực thu-phát (Vces) là 800V và định mức điện áp cực phát-cổng (VGES) là ±20V. Nó có thể xử lý một bộ sưu tập hiện tại (IC) là 25A và công suất tiêu thụ của bộ thu (Pc) là 500W. Với định mức điện áp cực thu-phát (VCES) là 2500V, nó mang lại khả năng cách điện đáng tin cậy cho các ứng dụng điện áp cao.
Mô-đun hoạt động trong phạm vi nhiệt độ đường giao nhau từ -40 đến +125°C, đảm bảo hiệu suất ổn định ngay cả trong điều kiện nhiệt độ khắc nghiệt. Nó được thiết kế để dễ dàng lắp đặt bằng vít M5 với mô-men xoắn khuyến nghị là 1.96~2.94 N·m. Mô-đun có trọng lượng khoảng 160g.