#UF1003 NA UF1003 Diode chỉnh lưu mới, 1 phần tử, 1A, 200V V (RRM), Silicon, DO-41, GÓI NHỰA-2, hình ảnh UF1003, giá UF1003, nhà cung cấp # UF1003
-----------------------
Email: [email được bảo vệ]
-----------------------
Email: [email được bảo vệ]
https://www.slw-ele.com/uf1003.html
-----------------------
nhà chế tạo Một phần số: UF1003
Mã Pbfree: Có
Mã vòng đời một phần: Hoạt động
Nhà sản xuất Ihs: LITE-ON SEMICONDUCTOR CÔNG TY CỔ PHẦN
Mã phần gói: DO-41
Mô tả gói hàng: O-PALF-W2
Số lượng pin: 2
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8541.10.00.80
Nhà sản xuất: Lite-On Semiconductor Công ty
Xếp hạng rủi ro: 5.06
Tính năng bổ sung: UL RECOGNIZED
Kết nối trường hợp: ISOLATED
Cấu hình: SINGLE
Vật liệu phần tử Diode: Silic
Loại diode: DIODE RECTIFIER
Forward Vôn-Max (VF): 1 V
Mã JEDEC-95: DO-41
Mã JESD-30: O-PALF-W2
Không đại diện chuyển tiếp Pk Hiện tại-Tối đa: 30 A
Số phần tử: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 2
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 125 ° C
Nhiệt độ hoạt động-Min: -55 ° C
Đầu ra hiện tại-tối đa: 1 A
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: VÒNG
Phong cách đóng gói: DẠNG DÀI
Nhiệt độ dòng chảy đỉnh (Cel): 255
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Đại diện Pk Đảo ngược Vôn-Tối đa: 200 V
Thời gian khôi phục ngược - Tối đa: 0.05 µs
Danh mục con: Điốt chỉnh lưu
Gắn kết bề mặt: KHÔNG
Dạng đầu cuối: DÂY
Vị trí đầu cuối: AXIAL
Thời gian
Diode chỉnh lưu, 1 phần tử, 1A, 200V V (RRM), Silicon, DO-41, GÓI NHỰA-2
Mã Pbfree: Có
Mã vòng đời một phần: Hoạt động
Nhà sản xuất Ihs: LITE-ON SEMICONDUCTOR CÔNG TY CỔ PHẦN
Mã phần gói: DO-41
Mô tả gói hàng: O-PALF-W2
Số lượng pin: 2
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8541.10.00.80
Nhà sản xuất: Lite-On Semiconductor Công ty
Xếp hạng rủi ro: 5.06
Tính năng bổ sung: UL RECOGNIZED
Kết nối trường hợp: ISOLATED
Cấu hình: SINGLE
Vật liệu phần tử Diode: Silic
Loại diode: DIODE RECTIFIER
Forward Vôn-Max (VF): 1 V
Mã JEDEC-95: DO-41
Mã JESD-30: O-PALF-W2
Không đại diện chuyển tiếp Pk Hiện tại-Tối đa: 30 A
Số phần tử: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 2
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 125 ° C
Nhiệt độ hoạt động-Min: -55 ° C
Đầu ra hiện tại-tối đa: 1 A
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: VÒNG
Phong cách đóng gói: DẠNG DÀI
Nhiệt độ dòng chảy đỉnh (Cel): 255
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Đại diện Pk Đảo ngược Vôn-Tối đa: 200 V
Thời gian khôi phục ngược - Tối đa: 0.05 µs
Danh mục con: Điốt chỉnh lưu
Gắn kết bề mặt: KHÔNG
Dạng đầu cuối: DÂY
Vị trí đầu cuối: AXIAL
Thời gian
Diode chỉnh lưu, 1 phần tử, 1A, 200V V (RRM), Silicon, DO-41, GÓI NHỰA-2