#GS1010FL-R1 PAN GS1010FL-R1 Diode chỉnh lưu mới, 1 phần tử, 1A, 1000V V (RRM), Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-2, hình ảnh GS1010FL-R1, giá GS1010FL-R1, nhà cung cấp # GS1010FL-R1
-----------------------
Email: [email được bảo vệ]
-----------------------
Email: [email được bảo vệ]
https://www.slw-ele.com/gs1010fl-r1.html
-----------------------
Số bộ phận của nhà sản xuất: GS1010FL_R1_00001
Mã Rohs: Có
Mã vòng đời một phần: Hoạt động
Nhà sản xuất Ihs: PAN JIT INTERNATIONAL INC
Mô tả gói hàng: R-PDSO-F2
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8541.10.00.80
Nhà sản xuất: Panjit Semiconductor
Xếp hạng rủi ro: 5.64
Cấu hình: SINGLE
Vật liệu phần tử Diode: SILICON
Loại diode: DIODE RECTIFIER
Mã JESD-30: R-PDSO-F2
Số phần tử: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 2
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 150 ° C
Nhiệt độ hoạt động-Min: -50 ° C
Đầu ra hiện tại-tối đa: 1 A
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: NHỎ OUTLINE
Nhiệt độ dòng chảy cao nhất (Cel): KHÔNG ĐƯỢC CHỈ ĐỊNH CỤ THỂ
Đại diện Pk Đảo ngược Vôn-Tối đa: 1000 V
Gắn kết bề mặt: CÓ
Dạng đầu cuối: FLAT
Vị trí đầu cuối: KÉP
Thời gian
Diode chỉnh lưu, 1 phần tử, 1A, 1000V V (RRM), Silicon, XANH LÁ, GÓI NHỰA-2
Mã Rohs: Có
Mã vòng đời một phần: Hoạt động
Nhà sản xuất Ihs: PAN JIT INTERNATIONAL INC
Mô tả gói hàng: R-PDSO-F2
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8541.10.00.80
Nhà sản xuất: Panjit Semiconductor
Xếp hạng rủi ro: 5.64
Cấu hình: SINGLE
Vật liệu phần tử Diode: SILICON
Loại diode: DIODE RECTIFIER
Mã JESD-30: R-PDSO-F2
Số phần tử: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 2
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 150 ° C
Nhiệt độ hoạt động-Min: -50 ° C
Đầu ra hiện tại-tối đa: 1 A
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: NHỎ OUTLINE
Nhiệt độ dòng chảy cao nhất (Cel): KHÔNG ĐƯỢC CHỈ ĐỊNH CỤ THỂ
Đại diện Pk Đảo ngược Vôn-Tối đa: 1000 V
Gắn kết bề mặt: CÓ
Dạng đầu cuối: FLAT
Vị trí đầu cuối: KÉP
Thời gian
Diode chỉnh lưu, 1 phần tử, 1A, 1000V V (RRM), Silicon, XANH LÁ, GÓI NHỰA-2