Sự kết hợp này mang lại hiệu suất đầy tải lớn hơn 98% trong PC, TV và các ứng dụng tương tự từ 75 W đến 400 W.
Edward Ong của PI cho biết: “Các thiết kế sử dụng IC HiperPFS-4 cho thấy hiệu suất rất cao trong phạm vi tải với mức tiêu thụ điện không tải chỉ là 36 mW ở 230 VAC. “Các thiết bị hoạt động được tích hợp vào IC HiperPFS-4 được xếp hạng đến 600 V, điều này giúp giảm bớt việc tuân thủ các thông số kỹ thuật khử xếp hạng 80% thường được yêu cầu.”
IC HiperPFS-4 kết hợp mạch điều khiển PFC chế độ dẫn liên tục (CCM), diode tăng cường và 600 V mosfet trong một thiết bị. Bao gồm diode tăng cường làm giảm việc gắn bộ tản nhiệt, dẫn đến thiết kế đơn giản hơn và hiệu suất nhiệt tốt hơn.
Hơn nữa, diode Qspeed tích hợp cũng cung cấp độ bền cao hơn chống lại dòng điện AC vì điện cảm vết ký sinh được giảm thiểu, do đó làm giảm Vôn tăng vọt do công tắc nguồn nhìn thấy trong quá trình chuyển đổi lên đến 50 V.
Tích hợp 600 V MOSFE do đó có thể dễ dàng đáp ứng yêu cầu giảm định mức 80% khi cung cấp bus điện áp không đổi 385 VDC.
Các IC HiperPFS-4 đạt được hệ số công suất lớn hơn 0.95 khi tải trên 20%. Diode tăng tốc Qspeed được tối ưu hóa cho hoạt động PFC ở chế độ dẫn liên tục có tổn thất phục hồi ngược rất thấp, tiếp cận hiệu suất của các thiết bị silicon cacbua mà không bị phạt tài chính.
IC điều khiển hiệu chỉnh hệ số công suất (PFC) HiperPFS-4 được đóng gói với QSpeed thấp Qrr Diode tăng cường hiện có sẵn với số lượng sản phẩm lớn.
Các thiết bị có giá bắt đầu từ $ 1.56 với số lượng 10,000. Để biết thêm chi tiết, hãy liên hệ với đại diện bán hàng của Power Integrations hoặc một trong những nhà phân phối được ủy quyền trên toàn thế giới của công ty: Digikey, Farnell, Mouser và RS Components.