#DTC123EETL ROHM DTC123EETL Lưỡng cực tín hiệu nhỏ mới Transistor, 0.1AI (C), 50V V (BR) CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, EMT3, 3 PIN, ảnh DTC123EETL, giá DTC123EETL, # nhà cung cấp DTC123EETL
-----------------------
Email: [email được bảo vệ]
-----------------------
Email: [email được bảo vệ]
https://www.slw-ele.com/dtc123eetl.html
-----------------------
Manufacturer Part Number: DTC123EETL
Mã Pbfree: Có
Mã vòng đời một phần: Hoạt động
Nhà sản xuất Ihs: ROHM CO LTD
Mã phần gói: SC-75A
Mô tả gói hàng: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Số lượng pin: 3
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8541.21.00.75
Nhà sản xuất: ROHM Semiconductor
Xếp hạng rủi ro: 1.5
Tính năng bổ sung: BUILT-IN BIAS Điện trở TỶ LỆ LÀ 1
Bộ sưu tập hiện tại-Max (IC): 0.1 A
Bộ thu-phát Vôn-Tối đa: 50 V
Cấu hình: DUY NHẤT CÓ TÍCH HỢP Điện trở
Độ lợi dòng điện DC-Min (hFE): 20
Mã JESD-30: R-PDSO-G3
Mã JESD-609: e1
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm: 1
Số phần tử: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 3
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 150 ° C
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: NHỎ OUTLINE
Nhiệt độ dòng chảy đỉnh (Cel): 260
Phân cực / Loại kênh: NPN
Công suất tiêu tán-Tối đa (Áp suất): 0.15 W
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Danh mục con: Tín hiệu nhỏ Mục đích chung BIP
Gắn kết bề mặt: CÓ
Kết thúc đầu cuối: Thiếc / Bạc / Đồng (Sn / Ag / Cu)
Dạng thiết bị đầu cuối: GULL WING
Vị trí đầu cuối: KÉP
Thời gian
Transistor lưỡng cực tín hiệu nhỏ, 0.1AI (C), 50V V (BR) CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, EMT3, 3 PIN
Mã Pbfree: Có
Mã vòng đời một phần: Hoạt động
Nhà sản xuất Ihs: ROHM CO LTD
Mã phần gói: SC-75A
Mô tả gói hàng: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Số lượng pin: 3
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8541.21.00.75
Nhà sản xuất: ROHM Semiconductor
Xếp hạng rủi ro: 1.5
Tính năng bổ sung: BUILT-IN BIAS Điện trở TỶ LỆ LÀ 1
Bộ sưu tập hiện tại-Max (IC): 0.1 A
Bộ thu-phát Vôn-Tối đa: 50 V
Cấu hình: DUY NHẤT CÓ TÍCH HỢP Điện trở
Độ lợi dòng điện DC-Min (hFE): 20
Mã JESD-30: R-PDSO-G3
Mã JESD-609: e1
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm: 1
Số phần tử: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 3
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 150 ° C
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: NHỎ OUTLINE
Nhiệt độ dòng chảy đỉnh (Cel): 260
Phân cực / Loại kênh: NPN
Công suất tiêu tán-Tối đa (Áp suất): 0.15 W
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Danh mục con: Tín hiệu nhỏ Mục đích chung BIP
Gắn kết bề mặt: CÓ
Kết thúc đầu cuối: Thiếc / Bạc / Đồng (Sn / Ag / Cu)
Dạng thiết bị đầu cuối: GULL WING
Vị trí đầu cuối: KÉP
Thời gian
Transistor lưỡng cực tín hiệu nhỏ, 0.1AI (C), 50V V (BR) CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, EMT3, 3 PIN