#FC107-TL Lưỡng cực tín hiệu nhỏ mới SANYO FC107-TL Transistor, 0.1AI (C), CEO 50V V (BR), hình ảnh 2 phần tử, PNP, Silicon, FC107-TL, giá FC107-TL, nhà cung cấp # FC107-TL
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/fc107-tl.html
-----------------------
Nhà sản xuất một phần số: FC107-TL
Mã vòng đời một phần: Đã lỗi thời
Nhà sản xuất Ihs: SANYO ELECTRIC CO LTD
Mô tả gói hàng: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8541.21.00.75
Nhà sản xuất: SANYO Electric Co Ltd
Xếp hạng rủi ro: 5.84
Tính năng bổ sung: BUILT IN BIAS Điện trở TỶ LỆ LÀ 1
Collector Hiện tại-Tối đa (IC): 0.1 A
Bộ thu-phát Vôn-Tối đa: 50 V
Cấu hình: EMITTER THÔNG DỤNG, 2 PHẦN TỬ CÓ TÍCH HỢP Điện trở
Độ lợi dòng điện DC-Min (hFE): 50
Mã JESD-30: R-PDSO-G5
Số phần tử: 2
Số lượng thiết bị đầu cuối: 5
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: NHỎ OUTLINE
Phân cực / Loại kênh: PNP
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Gắn kết bề mặt: CÓ
Dạng thiết bị đầu cuối: GULL WING
Vị trí đầu cuối: KÉP
Ứng dụng bóng bán dẫn: CHUYỂN ĐỔI
Transistor Nguyên liệu thành phần: SILICON
Tần số chuyển đổi-Nom (fT): 200 MHz
VCEsat-Max: 0.3 V
Transistor lưỡng cực tín hiệu nhỏ, 0.1AI (C), CEO 50V V (BR), 2 phần tử, PNP, Silicon
Mã vòng đời một phần: Đã lỗi thời
Nhà sản xuất Ihs: SANYO ELECTRIC CO LTD
Mô tả gói hàng: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8541.21.00.75
Nhà sản xuất: SANYO Electric Co Ltd
Xếp hạng rủi ro: 5.84
Tính năng bổ sung: BUILT IN BIAS Điện trở TỶ LỆ LÀ 1
Collector Hiện tại-Tối đa (IC): 0.1 A
Bộ thu-phát Vôn-Tối đa: 50 V
Cấu hình: EMITTER THÔNG DỤNG, 2 PHẦN TỬ CÓ TÍCH HỢP Điện trở
Độ lợi dòng điện DC-Min (hFE): 50
Mã JESD-30: R-PDSO-G5
Số phần tử: 2
Số lượng thiết bị đầu cuối: 5
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: NHỎ OUTLINE
Phân cực / Loại kênh: PNP
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Gắn kết bề mặt: CÓ
Dạng thiết bị đầu cuối: GULL WING
Vị trí đầu cuối: KÉP
Ứng dụng bóng bán dẫn: CHUYỂN ĐỔI
Transistor Nguyên liệu thành phần: SILICON
Tần số chuyển đổi-Nom (fT): 200 MHz
VCEsat-Max: 0.3 V
Transistor lưỡng cực tín hiệu nhỏ, 0.1AI (C), CEO 50V V (BR), 2 phần tử, PNP, Silicon