Diodes Incorporated đã phát hành đi-ốt TVS hai chiều mới, đáp ứng nhu cầu của thị trường về khả năng bảo vệ mạnh mẽ cho các cổng dữ liệu tốc độ cao. D3V3Z1BD2CSP được thiết kế để cung cấp khả năng bảo vệ khỏi các cuộc tấn công ESD và các sự kiện đột biến. Các ứng dụng chính cho thiết bị này là các cổng I/O trong phần cứng máy tính hiệu năng cao, màn hình, điện thoại thông minh cầm tay, máy tính xách tay và máy tính bảng cũng như bảng điều khiển trò chơi.
Mặc dù nhiều sản phẩm cạnh tranh phải đánh đổi thiết kế, với đặc tính bảo vệ chống đột biến điện mạnh hoặc điện dung đầu vào thấp, nhưng thiết bị có thể đồng thời mang lại lợi ích. Điện dung cực thấp 0.3pF (điển hình) của nó cung cấp tính toàn vẹn của tín hiệu được duy trì bằng cách không can thiệp hoặc cản trở giao tiếp dữ liệu tốc độ cao. Dòng xung cực đại cao (điển hình 10.5A) và độ kẹp thấp Vôn (5.3V) bảo vệ các cổng I/O và thiết bị điện tử nhạy cảm của chúng khỏi các điện áp nhất thời. Tránh được nguy cơ hư hỏng do ứng suất điện do các hoạt động như hoán đổi nóng thường xuyên. Tuân thủ tiêu chuẩn miễn nhiễm IEC61000-4-2, thiết bị cung cấp khả năng bảo vệ ESD mạnh mẽ chống lại phóng điện tiếp xúc và không khí ±20kV, cải thiện độ tin cậy của hệ thống.
Thiết bị có thể bảo vệ các giao diện I/O, chẳng hạn như USB Type-C, DisplayPort, HDMI và SD-Card, mang tốc độ dữ liệu tốc độ cao lên đến 20Gbps. Phạm vi nhiệt độ hoạt động rộng, từ -55C đến +150C, đảm bảo khả năng bảo vệ liên tục ngay cả trong môi trường ứng dụng đầy thách thức.
TVS từ Điốt được cung cấp trong gói quy mô chip cấp wafer DSN0603 cực kỳ nhỏ gọn có kích thước chỉ 0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm.
Xem thêm : Mô-đun IGBT | Màn hình LCD | Linh kiện điện tử