Dòng SLA36385A có kích thước 5 x 9mm và chiều cao 9.5mm, tuy nhiên các thành phần có thể xử lý dòng điện lên tới 230A. Điện cảm nằm trong khoảng từ 35 đến 470nH. Công ty cho biết: “Thành phần 35nH có thể xử lý hơn 200A, với mức giảm khoảng 20%. Điện trở có thể thấp tới 125μΩ và tần số hoạt động ở mức cao […]
Theo công ty, gói SSO10T có khe hở 10μm thay vì miếng đệm nhiệt ở mặt PCB và khoảng 95% nhiệt sẽ thoát qua phía trên, thường là đến vỏ ECU hoặc tấm lạnh. Nó dự kiến sẽ được sử dụng với một miếng đệm giao diện nhiệt để điều chỉnh dung sai giữa PCB và […]
• Kích hoạt và đẩy nhanh các tiến bộ nghiên cứu cho các thế hệ vi điện tử trong tương lai • Hỗ trợ, xây dựng và kết nối cơ sở hạ tầng vi điện tử từ nghiên cứu đến sản xuất • Tăng trưởng và duy trì lực lượng lao động kỹ thuật cho nghiên cứu và phát triển vi điện tử cho đến hệ sinh thái sản xuất • Tạo ra một hệ sinh thái đổi mới vi điện tử sôi động để đẩy nhanh quá trình chuyển đổi hoạt động nghiên cứu và phát triển sang Hoa Kỳ […]
Đang cân nhắc các thiết kế hệ thống trong gói trong tương lai sẽ tiêu thụ khoảng 1kW, Intel đã sử dụng quy trình finfet cmos 16nm để tạo ra một bộ chuyển đổi Buck 52 pha nguyên mẫu có thể được tích hợp vào các IC như vậy. Intel đã tiết lộ điều này tại Hội nghị Mạch thể rắn Quốc tế ở San Francisco. DC-dc điểm tải có điện áp 2V và có thể cung cấp 200A (624A […]
Được gọi là AONA66916, điện trở nhiệt tạo thành điểm nối với bề mặt trên và dưới lần lượt là 0.5 và 0.55C/W. Công ty cho biết: “Gói DFN 5×6 được phơi sáng hàng đầu có cùng diện tích với gói DFN 5×6 tiêu chuẩn của AOS, loại bỏ nhu cầu sửa đổi bố cục PCB hiện có”. Điện trở khi bật là 3.4mΩ, cổng được định mức ở mức ±20V và nhiệt độ tiếp giáp tối đa […]
Mô-đun IGBT Fuji 2MBI200VB-120, một giải pháp mạnh mẽ có tính năng: Lý tưởng cho nhiều ứng dụng khác nhau bao gồm: 2MBI200VB-120. Mô-đun IGBT. MÔ-ĐUN IGBT (dòng V). 1200V / 200A / 2 trong một gói
SKM200GAL1200KL của Semikron là mô-đun nguồn IGBT nửa cầu công suất cao, được chế tạo đặc biệt cho các ứng dụng đa dạng như truyền động động cơ công nghiệp, hệ thống năng lượng tái tạo và ứng dụng lực kéo. Được bao bọc trong gói SEMITRANS 2 nhỏ gọn, mô-đun này có hai bóng bán dẫn lưỡng cực cổng cách điện được sắp xếp theo cấu trúc liên kết nửa cầu. Với thiết kế chắc chắn, nó đảm bảo điện áp cực thu-phát tối đa 1200V […]
DF200AA160 là mô-đun diode công suất được thiết kế tỉ mỉ nhằm mục đích chỉnh lưu toàn sóng ba pha. Nó kết hợp sáu điốt được kết nối với nhau trong cấu hình cầu ba pha. Đáng chú ý, đế gắn mô-đun được cách ly về điện với các phần tử bán dẫn, giúp đơn giản hóa việc lắp ráp tản nhiệt. Mô-đun linh hoạt này có thể xử lý hiệu quả dòng điện DC đầu ra […]
MACMIC MMD200S160B là mô-đun IGBT (Transistor lưỡng cực có cổng cách điện) với một số tính năng, ứng dụng và xếp hạng tối đa nhất định. Dưới đây là bảng phân tích thông tin được cung cấp: Tính năng: Ứng dụng: Xếp hạng và Đặc điểm tối đa (ở 25°C trừ khi được chỉ định):