Mô-đun IGBT Semikron SKiM304GD12T4D: Hiệu suất năng lượng nâng cao Mô-đun IGBT Semikron SKiM304GD12T4D có các tính năng tiên tiến được thiết kế riêng cho các ứng dụng năng lượng tiên tiến. Tận dụng công nghệ Trenchgate, mô-đun này mang lại hiệu suất vượt trội trong nhiều tình huống khác nhau. Vce(sat) của nó với hệ số nhiệt độ dương đảm bảo hoạt động ổn định khi có biến động nhiệt độ, đồng thời khả năng đoản mạch vượt trội làm tăng thêm tính linh hoạt của nó. Tính năng Ứng dụng tiêu biểu […]
Toshiba MG200H1AL2 là mô-đun IGBT (Transitor lưỡng cực có cổng cách điện) mạnh mẽ được thiết kế cho các ứng dụng chuyển mạch công suất cao. Dưới đây là tổng quan ngắn gọn về các tính năng và thông số kỹ thuật chính của nó: Mô tả: MG200H1AL2 là mô-đun bóng bán dẫn có định mức dòng điện là 200 Amps và định mức điện áp là 450 Vôn. Nó nặng 210 gram (khoảng 0.46 lbs), […]
Mô-đun IGBT Starpower GD200HFL120C2S là thiết bị bán dẫn công suất hiệu suất cao được thiết kế để chuyển đổi và điều khiển nguồn hiệu quả. Dưới đây là các chi tiết và tính năng chính của Mô-đun IGBT GD200HFL120C2S: Mô tả chung: Mô-đun nguồn IGBT STARPOWER được thiết kế để cung cấp tổn hao dẫn điện cực thấp và độ chắc chắn ngắn mạch cao. Nó được thiết kế riêng cho các ứng dụng như […]
MDS MDS200A1600V là mô-đun IGBT được biết đến với các tính năng và thông số kỹ thuật giúp nó phù hợp với nhiều ứng dụng khác nhau. Dưới đây là thông tin chi tiết: Các tính năng: Xếp hạng và Đặc điểm Tối đa: Mô-đun IGBT MDS200A1600V được thiết kế để cung cấp khả năng điều khiển và chuyển đổi nguồn hiệu quả. Nó được đặc trưng bởi khả năng xử lý dòng điện và điện áp cao, khiến […]
Infineon DDB6U205N16L là mô-đun IGBT (Transistor lưỡng cực có cổng cách điện) có xếp hạng và đặc điểm tối đa sau: Xin lưu ý rằng các giá trị này thể hiện xếp hạng tối đa tuyệt đối cho mô-đun IGBT DDB6U205N16L và chúng được cung cấp để cân nhắc về hoạt động và an toàn phù hợp trong các ứng dụng khác nhau .
Infineon FF400R07KE4 là mô-đun IGBT kép 650 V, 400 A do Infineon Technologies sản xuất. Mô-đun này có công nghệ TRENCHSTOP™ IGBT4 cùng với đi-ốt điều khiển bộ phát. Nó được thiết kế cho các ứng dụng công suất cao yêu cầu tăng khả năng chặn điện áp, khả năng đoản mạch cao và hiệu suất điện tối ưu. Mô-đun này được đặt trong một hộp tiêu chuẩn […]
Infineon FF400R06KE3 là mô-đun IGBT (Transitor lưỡng cực có cổng cách điện) được thiết kế cho các ứng dụng chuyển mạch công suất cao. Nó đi kèm với các xếp hạng và đặc điểm tối đa cụ thể giúp nó phù hợp với các ứng dụng điều khiển công suất và công nghiệp khác nhau. Dưới đây là các thông số kỹ thuật và tính năng chính của mô-đun IGBT FF400R06KE3: Xếp hạng và đặc điểm tối đa: Mô-đun IGBT FF400R06KE3 […]
Infineon #FZ400R17KE3 rất cần thiết để sử dụng đúng cách và tránh hư hỏng hoặc hỏng hóc. Hãy xem xét từng xếp hạng và đặc điểm tối đa của thành phần này:
Fuji 2MBI400VG-060 là mô-đun IGBT (Transistor lưỡng cực có cổng cách điện) được thiết kế cho các ứng dụng công suất cao yêu cầu khả năng chuyển mạch tốc độ cao và khả năng truyền động điện áp. Dưới đây là các tính năng, ứng dụng và xếp hạng tối đa của mô-đun này: Tính năng: Ứng dụng: Xếp hạng tối đa (Tc=25°C trừ khi có quy định khác):