Toshiba MG200H1AL2 là một thiết bị mạnh mẽ IGBT (Transitor lưỡng cực có cổng cách điện) mô-đun được thiết kế cho các ứng dụng chuyển mạch công suất cao. Dưới đây là tổng quan ngắn gọn về các tính năng và thông số kỹ thuật chính của nó:
Sự miêu tả: MG200H1AL2 là mô-đun bóng bán dẫn có định mức dòng điện là 200 Ampe và định mức điện áp là 450 Vôn. Nó nặng 210 gam (xấp xỉ 0.46 lbs), phù hợp với các ứng dụng yêu cầu xử lý điện áp và công suất cao.
Ứng dụng mục tiêu: Mô-đun MG200H1AL2 rất phù hợp cho:
- Các ứng dụng chuyển mạch công suất cao
- Ứng dụng điều khiển động cơ
Tính năng, đặc điểm:
- Transistor công suất NPN Si: Có cấu hình NPN (Âm-Tích cực-Tiêu cực) và sử dụng silicon (Si) công nghệ, làm cho nó phù hợp cho các ứng dụng năng lượng cao.
Xếp hạng và Đặc điểm tối đa (Tc=25°C trừ khi được chỉ định):
- Điện áp Collector-Emitter (Vces): 600V
- Điện áp cổng phát (VGES): ± 20V
- Bộ thu hiện tại (Ic): 200A
- Đỉnh Collector hiện tại (Icp): 400A
- Tản điện Collector (Pc): 800W
- Điện áp Collector-Emitter (VCES): 2500V
- Nhiệt độ đường giao nhau hoạt động (Tj): + 150 ° C
- Nhiệt độ bảo quản (Tstg): -40 đến + 125 ° C
- Gắn vít mô-men xoắn: 2.0/3.5 *1 N·m
Loại mô-đun:
- Mô-đun IGBT: Được thiết kế như một mô-đun IGBT với định mức hiện tại là 200A và định mức điện áp là 450V.
Mô-đun IGBT Toshiba MG200H1AL2 cung cấp khả năng xử lý công suất cao và được thiết kế để chịu được các ứng dụng đòi hỏi khắt khe trong điện tử công suất. Định mức điện áp và dòng điện, cùng với cấu hình bóng bán dẫn công suất NPN Si, giúp nó phù hợp với nhiều nhiệm vụ chuyển đổi công suất cao khác nhau, bao gồm điều khiển động cơ và các ứng dụng quản lý nguồn khác. Với thiết kế mạnh mẽ và hiệu suất hiệu quả, mô-đun này đóng vai trò là giải pháp đáng tin cậy cho các ứng dụng công nghiệp và thương mại yêu cầu điều khiển chính xác các hệ thống công suất cao.