CSD17552Q3A
#CSD17552Q3A Texas Instruments CSD17552Q3A Mới CSD17552Q3A 30V kênh N mosfet 8-VSONP -55 đến 150; Hình ảnh CSD17552Q3A, CSD17552Q3A, giá CSD17552Q3A, nhà cung cấp # CSD17552Q3A
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/csd17552q3a.html
-----------------------
Nhà sản xuất một phần số: CSD17552Q3A
Tên thương hiệu: Texas Dụng cụ
Mã Rohs: Có
Mã vòng đời một phần: Không được khuyến nghị
Nhà sản xuất Ihs: TEXAS INSTRUMENTS INC
Mô tả gói hàng: SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
Số lượng pin: 8
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8541.29.00.95
Nhà sản xuất: Texas Instruments
Xếp hạng rủi ro: 7.04
Tính năng bổ sung: AVALANCHE RATED
Đánh giá năng lượng của Avalanche (Eas): 45 mJ
Kết nối trường hợp: DRAIN
Cấu hình: DUY NHẤT VỚI DIODE TÍCH HỢP
Phân tích DS Vôn-Tin: 30 V
Xả Hiện tại-Tối đa (Áp suất) (ID): 60 A
Xả Hiện tại-Tối đa (ID): 15 A
Nguồn xả khi Điện trở-Tối đa: 0.0081 Ω
FET Công nghệ: METAL-OXIDE Semiconductor
Mã JESD-30: R-PDSO-F5
Mã JESD-609: e3
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm: 1
Số phần tử: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 5
Chế độ hoạt động: CHẾ ĐỘ NÂNG CAO
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 150 ° C
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: NHỎ OUTLINE
Nhiệt độ dòng chảy đỉnh (Cel): 260
Phân cực / Loại kênh: N-CHANNEL
Công suất tiêu tán-Tối đa (Áp suất): 2.6 W
Dòng xả xung-Tối đa (IDM): 84 A
Danh mục con: FET General Purpose Power
Gắn kết bề mặt: CÓ
Kết thúc đầu cuối: Matte Tin (Sn)
Dạng đầu cuối: FLAT
Vị trí đầu cuối: KÉP
Thời gian
Kênh N 30V mosfet 8-VSONP -55 đến 150
Tên thương hiệu: Texas Dụng cụ
Mã Rohs: Có
Mã vòng đời một phần: Không được khuyến nghị
Nhà sản xuất Ihs: TEXAS INSTRUMENTS INC
Mô tả gói hàng: SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
Số lượng pin: 8
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8541.29.00.95
Nhà sản xuất: Texas Instruments
Xếp hạng rủi ro: 7.04
Tính năng bổ sung: AVALANCHE RATED
Đánh giá năng lượng của Avalanche (Eas): 45 mJ
Kết nối trường hợp: DRAIN
Cấu hình: DUY NHẤT VỚI DIODE TÍCH HỢP
Phân tích DS Vôn-Tin: 30 V
Xả Hiện tại-Tối đa (Áp suất) (ID): 60 A
Xả Hiện tại-Tối đa (ID): 15 A
Nguồn xả khi Điện trở-Tối đa: 0.0081 Ω
FET Công nghệ: METAL-OXIDE Semiconductor
Mã JESD-30: R-PDSO-F5
Mã JESD-609: e3
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm: 1
Số phần tử: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 5
Chế độ hoạt động: CHẾ ĐỘ NÂNG CAO
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 150 ° C
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: NHỎ OUTLINE
Nhiệt độ dòng chảy đỉnh (Cel): 260
Phân cực / Loại kênh: N-CHANNEL
Công suất tiêu tán-Tối đa (Áp suất): 2.6 W
Dòng xả xung-Tối đa (IDM): 84 A
Danh mục con: FET General Purpose Power
Gắn kết bề mặt: CÓ
Kết thúc đầu cuối: Matte Tin (Sn)
Dạng đầu cuối: FLAT
Vị trí đầu cuối: KÉP
Thời gian
Kênh N 30V mosfet 8-VSONP -55 đến 150
« ST083S12PFK0 L601E5AP »