Toshiba MG200Q2YS50 là một IGBT (Cổng lưỡng cực cách điện Transistor) mô-đun được thiết kế để nâng cao hiệu suất của các ứng dụng chuyển mạch công suất cao. Dưới đây là một số tính năng và thông số kỹ thuật chính của MG200Q2YS50:
- Dòng thu tối đa: 200A
- Bộ thu-phát Vôn: 1200V
- Hoàn thành cấu hình nửa cầu trong một gói
- Các điện cực được cách ly khỏi vỏ máy
- Tản điện thấp để cải thiện hiệu quả
- Được phân loại là Trình ghi tạm thời chung, cung cấp hỗ trợ cho nhiều trình ghi tạm thời khác nhau
- Thích hợp cho điều khiển động cơ DC, cho phép phát huy hết tiềm năng của các ứng dụng điều khiển động cơ
- Cài đặt thuận tiện với thiết bị gắn mặt bích và diode tích hợp
- Cải thiện tốc độ hoạt động và độ tin cậy với thời gian phục hồi ngược được thiết kế
MG200Q2YS50 được thiết kế đặc biệt cho các ứng dụng điều khiển động cơ và chuyển mạch công suất cao. Nó cung cấp một giải pháp đáng tin cậy và hiệu quả với dòng điện cao và Vôn xếp hạng. t