#UM61512AM-25 UMC UM61512AM-25 Ảnh SRAM tiêu chuẩn mới, 64KX8, 25ns, CMOS, PDSO32, UM61512AM-25, giá UM61512AM-25, nhà cung cấp # UM61512AM-25
-----------------------
Email: [email được bảo vệ]
-----------------------
Email: [email được bảo vệ]
https://www.slw-ele.com/um61512am-25.html
-----------------------
nhà chế tạo Một phần số: UM61512AM-25
Mã vòng đời một phần: Đã lỗi thời
Ihs Nhà sản xuất: UNITED MICROELECTRONICS CORP
Mô tả gói:,
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8542.32.00.41
Nhà sản xuất: United Microelectronics Corporation
Xếp hạng rủi ro: 5.8
Thời gian truy cập tối đa: 25 ns
Mã JESD-30: R-PDSO-G32
Mật độ bộ nhớ: 524288 bit
Bộ nhớ IC Loại: SRAM TIÊU CHUẨN
Chiều rộng bộ nhớ: 8
Số chức năng: 1
Số cổng: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 32
Số từ: 65536 từ
Mã số từ: 64000
Chế độ hoạt động: ASYNCHRONOUS
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 70 ° C
Tổ chức: 64KX8
Đặc điểm đầu ra: 3-STATE
Kích hoạt đầu ra: CÓ
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: NHỎ OUTLINE
Song song / Nối tiếp: PARALLEL
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Chế độ chờ Vôn-Tin: 3 V
Cung cấp Vôn-Max (Vsup): 5.25 V
Cung cấp Vôn-Min (Vsup): 4.75 V
Cung cấp Vôn-Nom (Vsup): 5 V
Gắn kết bề mặt: CÓ
Công nghệ: CMOS
Nhiệt độ lớp: THƯƠNG MẠI
Dạng thiết bị đầu cuối: GULL WING
Vị trí đầu cuối: HAI
SRAM tiêu chuẩn, 64KX8, 25ns, CMOS, PDSO32
Mã vòng đời một phần: Đã lỗi thời
Ihs Nhà sản xuất: UNITED MICROELECTRONICS CORP
Mô tả gói:,
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8542.32.00.41
Nhà sản xuất: United Microelectronics Corporation
Xếp hạng rủi ro: 5.8
Thời gian truy cập tối đa: 25 ns
Mã JESD-30: R-PDSO-G32
Mật độ bộ nhớ: 524288 bit
Bộ nhớ IC Loại: SRAM TIÊU CHUẨN
Chiều rộng bộ nhớ: 8
Số chức năng: 1
Số cổng: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 32
Số từ: 65536 từ
Mã số từ: 64000
Chế độ hoạt động: ASYNCHRONOUS
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 70 ° C
Tổ chức: 64KX8
Đặc điểm đầu ra: 3-STATE
Kích hoạt đầu ra: CÓ
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: NHỎ OUTLINE
Song song / Nối tiếp: PARALLEL
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Chế độ chờ Vôn-Tin: 3 V
Cung cấp Vôn-Max (Vsup): 5.25 V
Cung cấp Vôn-Min (Vsup): 4.75 V
Cung cấp Vôn-Nom (Vsup): 5 V
Gắn kết bề mặt: CÓ
Công nghệ: CMOS
Nhiệt độ lớp: THƯƠNG MẠI
Dạng thiết bị đầu cuối: GULL WING
Vị trí đầu cuối: HAI
SRAM tiêu chuẩn, 64KX8, 25ns, CMOS, PDSO32