Bảng dữ liệu:HFA90NH40PbFSGói tiêu chuẩn:20Danh mục:Rời rạc Semiconductor Gia đình: Điốt, Bộ chỉnh lưu - Mô-đun Bộ phận: * #VS-HFA90NH40PBF Vishay Semiconductor Điốt Division VS-HFA90NH40PBF Diode chỉnh lưu mới, 1 pha, 1 phần tử, 210A, 400V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, D-67, HALF PAK-1, VS-HFA90NH40PBF hình ảnh, giá VS-HFA90NH40PBF, #VS- Nhà cung cấp HFA90NH40PBF
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Mã sản phẩm của nhà sản xuất: VS-HFA90NH40PBF
Mã Rohs: Có
Mã vòng đời một phần: Hoạt động
Nhà sản xuất Ihs: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Mô tả gói hàng: R-PUFM-X1
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8541.10.00.80
Nhà sản xuất: Vishay Intertechnologies
Xếp hạng rủi ro: 5.76
Tính năng bổ sung: PD-CASE, ĐƯỢC CÔNG NHẬN UL
Ứng dụng: PHỤC HỒI MỀM SIÊU NHANH
Kết nối trường hợp: CATHODE
Cấu hình: SINGLE
Điốt Nguyên liệu thành phần: SILICON
Loại diode: DIODE RECTIFIER
Forward Vôn-Max (VF): 1.67 V
Mã JESD-30: R-PUFM-X1
Không đại diện chuyển tiếp Pk Hiện tại-Tối đa: 600 A
Số phần tử: 1
Số giai đoạn: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 1
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 150 ° C
Nhiệt độ hoạt động-Min: -55 ° C
Đầu ra hiện tại-tối đa: 210 A
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: FLANGE MOUNT
Nhiệt độ dòng chảy cao nhất (Cel): KHÔNG ĐƯỢC CHỈ ĐỊNH CỤ THỂ
Công suất tiêu tán-Tối đa: 329 W
Đại diện Pk Đảo ngược Vôn-Tối đa: 400 V
Dòng ngược-Max: 2000 µA
Thời gian khôi phục ngược - Tối đa: 0.14 µs
Gắn kết bề mặt: KHÔNG
Dạng thiết bị đầu cuối: UNSPECIFIED
Vị trí đầu cuối: UPPER
Thời gian
Đi-ốt chỉnh lưu, 1 pha, 1 phần tử, 210A, 400V V(RRM), Silicon, TUÂN THỦ ROHS, D-67, HALF PAK-1
Mã Rohs: Có
Mã vòng đời một phần: Hoạt động
Nhà sản xuất Ihs: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Mô tả gói hàng: R-PUFM-X1
Mã ECCN: EAR99
Mã HTS: 8541.10.00.80
Nhà sản xuất: Vishay Intertechnologies
Xếp hạng rủi ro: 5.76
Tính năng bổ sung: PD-CASE, ĐƯỢC CÔNG NHẬN UL
Ứng dụng: PHỤC HỒI MỀM SIÊU NHANH
Kết nối trường hợp: CATHODE
Cấu hình: SINGLE
Điốt Nguyên liệu thành phần: SILICON
Loại diode: DIODE RECTIFIER
Forward Vôn-Max (VF): 1.67 V
Mã JESD-30: R-PUFM-X1
Không đại diện chuyển tiếp Pk Hiện tại-Tối đa: 600 A
Số phần tử: 1
Số giai đoạn: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 1
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 150 ° C
Nhiệt độ hoạt động-Min: -55 ° C
Đầu ra hiện tại-tối đa: 210 A
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: FLANGE MOUNT
Nhiệt độ dòng chảy cao nhất (Cel): KHÔNG ĐƯỢC CHỈ ĐỊNH CỤ THỂ
Công suất tiêu tán-Tối đa: 329 W
Đại diện Pk Đảo ngược Vôn-Tối đa: 400 V
Dòng ngược-Max: 2000 µA
Thời gian khôi phục ngược - Tối đa: 0.14 µs
Gắn kết bề mặt: KHÔNG
Dạng thiết bị đầu cuối: UNSPECIFIED
Vị trí đầu cuối: UPPER
Thời gian
Đi-ốt chỉnh lưu, 1 pha, 1 phần tử, 210A, 400V V(RRM), Silicon, TUÂN THỦ ROHS, D-67, HALF PAK-1