#بي إس إم100GB120DN2K EUPEC BSM100GB120DN2K جديد 100A / 1200V /IGBT/ 2U ؛ وحدات IGBT 1200V 100A DUAL ، صور BSM100GB120DN2K ، سعر BSM100GB120DN2K ، مورد BSM100GB120DN2K #
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
بي إس إم100GB120DN2K
الشركة المصنعة: انفينيون
فئة المنتج: وحدات IGBT
بنفايات: لا
العلامة التجارية: انفينيون تكنولوجيز
المنتج: وحدات السيليكون IGBT
التكوين: نصف جسر
جامع- باعث الجهد االكهربى VCEO ماكس: 1200 فولت
جامع-باعث التشبع الجهد االكهربى: 2.5 V
تيار المجمع المستمر عند 25 درجة مئوية: 145 أ
تيار تسرب بواعث البوابة: 400 غ
PD - تبديد الطاقة: 700 واط
العبوة / العلبة: Half Bridge1
درجة حرارة التشغيل القصوى: + 150 C
الحد الأقصى لبواعث البوابة الجهد االكهربى: 20 V
الحد الأدنى لدرجة حرارة التشغيل: - 40 درجة مئوية
أسلوب التركيب: برغي
كمية عبوة المصنع: 10
100A / 1200V / IGBT / 2U ؛ وحدات IGBT 1200V 100A مزدوجة
قامت Shunlongwei بفحص كل BSM100GB120DN2K قبل الشحن ، وجميع BSM100GB120DN2K مع ضمان لمدة 6 أشهر.