#BSM100GB120DN2K EUPEC BSM100GB120DN2K Nuovo 100A/1200V/IGBT/2U; Moduli IGBT 1200V 100A DUAL, immagini BSM100GB120DN2K, prezzo BSM100GB120DN2K, fornitore #BSM100GB120DN2K
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Email: sales@shunlongwei.com
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BSM100GB120DN2K
Produttore: Infineon
Categoria di prodotto: moduli IGBT
RoHS: No
Marchio: Infineon Technologies
Prodotto: Moduli IGBT in silicone
Configurazione: mezzo ponte
Collettore-Emettitore voltaggio VCEO massimo: 1200 V.
Saturazione collettore-emettitore voltaggio: 2.5 V
Corrente di collettore continua a 25 C: 145 A
Corrente di dispersione gate-emettitore: 400 nA
Pd - Dissipazione di potenza: 700 W.
Confezione/custodia: Half Bridge1
Temperatura operativa massima: + 150 C
Emettitore Gate massimo voltaggio: 20 V
Temperatura di esercizio minima: - 40 ° C
Stile di montaggio: vite
Quantità confezione da fabbrica: 10
100A / 1200V / IGBT / 2U; Moduli IGBT 1200V 100A DUAL
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