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BSM100GB120DN2K
제조업체 : Infineon
제품 카테고리 : IGBT 모듈
RoHS 준수 : 없음
브랜드 : Infineon Technologies
제품 : IGBT 실리콘 모듈
구성: 하프 브리지
수집기-이미 터 전압 VCEO Max : 1200V
수집기 방출기 채도 전압: 2.5 브이
25C에서 연속 콜렉터 전류 : 145A
게이트 이미 터 누설 전류 : 400nA
Pd – 전력 손실 : 700W
패키지/케이스: 하프 브리지1
최대 작동 온도 : + 150 C
최대 게이트 이미 터 전압: 20 브이
최소 작동 온도 : – 40 C
장착 스타일 : 나사
팩토리 팩 수량 : 10
100A / 1200V / IGBT / 2U; IGBT 모듈 1200V 100A DUAL
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