قال On عن الثنائيات: "التصميم الجديد يتحسن على الجيل الأول من ثنائيات SiC بفضل حجم القالب الأصغر والسعة المنخفضة. تقدم NVDSH20120C و NDSH20120C و NVDSH50120C و NDSH50120C للأمام أقل الجهد االكهربى انخفاض و 4 أضعاف زيادة في التصنيف الحالي ، مع ارتفاع d / dt من 3,500A / μs. يُرجع حجم القالب الأصغر أيضًا مقاومة حرارية أقل بنسبة 20٪ في عبوة F2 ".
اختيار 101A NVDSH20C المؤهل AEC − Q20120 و PPAP القادر بشكل عشوائي: الجهد الأمامي 20 أمبير النموذجي هو 1.38 عند 25 درجة مئوية (1.75 كحد أقصى) ، 1.64 فولت عند 125 درجة مئوية و 1.87 فولت عند 175 درجة مئوية.
في عبوتها الرصاصية TO-247 ، تبلغ المقاومة الحرارية من الوصلة إلى الحالة 0.7 درجة مئوية / واط كحد أقصى والتقاطع مع المحيط 40 درجة مئوية / واط كحد أقصى.
يبلغ إجمالي الشحنة عادةً 100nC عند 800 فولت ، وتكون السعة 100 كيلو هرتز ~ 1.5 نانو فهرنهايت عند Vr = 1V ، و 82pF عند 400V و 58pF عند 800V.
تبلغ قدرة Abs القصوى غير المتكررة للاندفاع الأمامي 10μs 854A عند Tc = 150 درجة مئوية ، وقدرة النبض نصف الجيبية غير المتكررة 8.3 مللي ثانية 119A (درجة الحرارة غير محددة) وللنبضات نصف الجيبية المتكررة يكون الرقم 40A.
التبديد هو 214W abs max عند Tc = 25 درجة مئوية ، وينخفض إلى 35 واط عند 150 درجة مئوية.
يتم توقع التطبيقات في محطات شحن السيارات الكهربائية ، وأجهزة الشحن على متن الطائرة ومحولات التيار المستمر ، بالإضافة إلى محولات الطاقة الشمسية ووحدات PSU غير المنقطعة.
كما أعلنت الشركة أيضًا عن أنظمة التوصيل الفائقة Superfet III 650 فولت لشبكة الجيل الخامس ومحطات شحن السيارات الكهربائية والاتصالات والخوادم في PCIM ، مع القليل من التفاصيل الأخرى.
تقدم عدة ندوات 650V في الحدث الافتراضي ولديها بعض الندوات عبر الإنترنت انقر هنا للحصول على التفاصيل
صفحة المنتج NVDSH20120C هنا