מבין הדיודות אמרה און: "העיצוב החדש משתפר ביחס לדור ה- SiC מהדור הראשון הודות לגודל תבנית קטן יותר וקיבול נמוך יותר. NVDSH20120C, NDSH20120C, NVDSH50120C ו- NDSH50120C מספקים קדימה נמוכה יותר מתח ירידה ועלייה של פי 4 בזרם המדורג, עם di / dt גבוה יותר של 3,500A / μs. גודל המתה הקטן יותר מחזיר עמידות תרמית נמוכה בכ -20% באריזת F2. "
בחירת אקראד 101A NVDSH20C מסוג AEC ‑ Q20120 ובעלת יכולת PPAP באופן אקראי: המתח הקדמי האופייני 20A הוא 1.38 ב 25 ° C (1.75max), 1.64V ב 125 ° C ו 1.87V ב 175 ° C
בחבילת ה- TO-247 המובילה שלה, ההתנגדות התרמית בצומת למקרה היא 0.7 מעלות צלזיוס / W מקסימום והצומת לסביבה היא מקסימום 40 מעלות צלזיוס / רוחב.
הטעינה הכוללת היא בדרך כלל 100nC ב 800V, וקיבול 100kHz הוא ~ 1.5nF ב Vr = 1V, 82pF ב 400V ו 58pF ב 800V.
יכולת נחשול קדימה של מקסימום 10μs לא חוזרת על עצמה היא 854A ב- Tc = 150 מעלות צלזיוס, יכולת הדופק של חצי סינוס לא חוזרת על עצמה היא 8.3A (טמפ לא מוגדר) ולדופקים חוזרים של חצי סינוס הדמות היא 119 A.
הפיזור הוא 214W abs max ב Tc = 25 ° C, ויורד ל 35 W ב 150 ° C.
יישומים צפויים בתחנות טעינה לרכבים חשמליים, מטענים מובנים וממירי DC-DC, כמו גם ממירי שמש ומחשבי חשמל לא ניתנים להפסקה.
החברה הודיעה גם על מושבי תוספת SuperVet III של 650 וולט עבור 5G, תחנות טעינה לרכב חשמלי, טלקום ושרתים ב- PCIM, עם מעט פרטים נוספים.
היא מציגה כמה סמינרים של 650 וולט באירוע הווירטואלי ויש לה כמה סמינרי אינטרנט לחץ כאן לפרטים
דף המוצר של NVDSH20120C נמצא כאן