Diocles, De ait: «Novum consilium in prima generatione SiC diodes ampliat propter minorem magnitudinem et capacitatem inferiorem. NVDSH20120C, NDSH20120C, NVDSH50120C, et NDSH50120C inferiorem deinceps libera voltage stilla et 4x aucta in monetae aestimatae, cum di/dt ex 3,500A/μs superiore. Minor magnitudo mortis etiam redit resistentiam 20% inferiorum scelerisque in sarcina F2".
Electa AEC−Q101 habilis et PPAP capax 20A NVDSH20120C temere: typica 20A deinceps intentione 1.38 ad 25°C (1.75max), 1.64V ad 125°C et 1.87V ad 175°C.
In binis fasciculis plumbeis TO-247, resistentia scelerisque ut- casu coniuncta est 0.7°C/W max et connexio ad ambientium est 40°C/W max.
Totalis crimen typice est 100nC in 800V, et 100kHz capacitas est ~1.5nF in Vr = 1V, 82pF ad 400V et 58pF ad 800V.
Abs max non-repetitiva capacitas 10µs emensus impetus est 854A ad Tc = 150°C, non-repetita 8.3ms semis sine pulsus pulsus est 119A (temp not specificatur) et pro pulsus dimidia parte repetita figura est 40A.
Dissipatio est 214W abs max in Tc = 25°C, cadens ad 35W in 150°C.
Praevisae sunt applicationes in statio- nibus electricis vehiculi, in phialas ac dc-dc converters, necnon inverters solares et PSUs un-interruptibiles.
Societas etiam 650V "Superfet III" superjunctionem mosfets 5G, electrici vehiculi electrici in stationes, telecomas et ministratores apud PCIM denuntiavit, cum paucis aliis.
Multa 650V seminaria praesentat apud virtualem eventum, et aliquos telarios habet hic strepita pro details
NVDSH20120C pagina producti hic est