#SKM200GAL173D SEMIKRON SKM200GAL173D جديد إيجبت وحدة 1.7kv 220a Semitrans 3.، صور SKM200GAL173D، سعر SKM200GAL173D، المورد #SKM200GAL173D
-----------------------
البريد الإلكتروني: sales@shunlongwei.com
-----------------------
البريد الإلكتروني: sales@shunlongwei.com
-----------------------
ميزات SKM200GAL173D:
• إدخال MOS (الجهد االكهربى خاضع للسيطرة)
• قناة N ، Si متجانسة
• حالة الحث المنخفض
• تيار ذيل منخفض للغاية مع اعتماد منخفض على درجة الحرارة
• قدرة عالية للدائرة القصيرة ، ذاتية التحديد لـ 6 * Icnom
• مزلاج خالية
• ثنائيات CAL عكسية سريعة وناعمة 8)
• اللوح الأساسي النحاسي المعزول يغني الربط النحاسي المباشر DCB
• خلوص كبير (13 ملم) ومسافات زحف (20 ملم).
تطبيقات نموذجية:
• يحرك عاكس التيار المتردد على الشبكة الرئيسية 575 - 750 فولت تيار متردد
• جهد ناقل التيار المستمر 750 - 1200 فولت تيار مستمر
• النقل العام (نظام مساعد).
• التبديل (ليس للاستخدام الخطي)
1) Tcase = 25 درجة مئوية ، ما لم يذكر خلاف ذلك 2) IF = - IC ، VR = 1200 V ، - diF / dt = 1000 A / µs ، VGE = 0 V
6) تحتوي الثنائيات ذات العجلات الحرة لأنواع GAL و GAR و D1 على بيانات الثنائيات العكسية
من SKM 300 GA 173 د
8) CAL = العمر المحوري المتحكم فيه تكنولوجيا.
التصنيفات والخصائص القصوى
التقديرات القصوى المطلقة (Tc = 25 درجة مئوية ما لم يكن ذلك بدون تحديد)
مجاميع الجهد الباعث: 1700V
جهد بواعث البوابة VGES: ± 20 فولت
تيار جامع IC: 220A
جامع التيار Icp: 440A
تبديد طاقة المجمع Pc: 1250W
جهد المجمع-الباعث VCES: 4000V
درجة حرارة تقاطع التشغيل Tj: + 150 درجة مئوية
درجة حرارة التخزين: -40 إلى + 125 درجة مئوية
وحدة IGBT 1.7kv 220a Semitrans 3.
قام Shunlongwei بفحص كل SKM200GAL173D قبل الشحن ، كل SKM200GAL173D مع ضمان لمدة 6 أشهر.