#SKM200GAL173D Semikron SKM200GAL173D Nouveau Igbt Module 1.7kv 220a Semitrans 3., photos SKM200GAL173D, prix SKM200GAL173D, fournisseur #SKM200GAL173D
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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Caractéristiques du SKM200GAL173D:
• Entrée MOS (Tension contrôlé)
• Canal N, Si homogène
• Boîtier à faible inductance
• Courant de queue très faible avec une faible dépendance à la température
• Capacité de court-circuit élevée, autolimitation à 6 * Icnom
• Sans verrouillage
• Diodes CAL inverses rapides et souples8)
• La plaque de base en cuivre isolée chante la liaison directe du cuivre DCB
• Grand jeu (13 mm) et lignes de fuite (20 mm).
Applications typiques:
• Variateurs AC sur secteur 575 - 750 VAC
• Tension du bus CC 750 - 1200 VDC
• Transports publics (système auxiliaire)
• Commutation (pas pour une utilisation linéaire)
1) Tcase = 25 ° C, sauf indication contraire 2) IF = - IC, VR = 1200 V, - diF / dt = 1000 A / µs, VGE = 0 V
6) Les diodes de roue libre des types GAL, GAR et D1 ont les données des diodes inverses
de SKM 300 GA 173 D
8) CAL = durée de vie axiale contrôlée Technologie.
Valeurs et caractéristiques maximales
Valeurs maximales absolues (Tc = 25 ° C sauf indication contraire)
Tension collecteur-émetteur Vces: 1700V
Tension de grille-émetteur VGES: ± 20V
Courant de collecteur IC: 220A
Courant de collecteur Icp: 440A
Dissipation de puissance du collecteur Pc: 1250W
Tension collecteur-émetteur VCES: 4000V
Température de jonction de fonctionnement Tj: + 150 ° C
Température de stockage Tstg: -40 à + 125 ° C
Module Igbt 1.7kv 220a Semitrans 3.
Shunlongwei inspecté chaque SKM200GAL173D avant l'expédition, tous les SKM200GAL173D avec 6 mois de garantie.