#SKM200GAL173D Semikron SKM200GAL173D Nuovo Igbt Moduli 1.7kv 220a Semitrans 3., immagini SKM200GAL173D, prezzo SKM200GAL173D, fornitore #SKM200GAL173D
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E-mail: sales@shunlongwei.com
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SKM200GAL173D Caratteristiche:
• Ingresso MOS (voltaggio controllato)
• Canale N, Si omogeneo
• Custodia a bassa induttanza
• Corrente di coda molto bassa con bassa dipendenza dalla temperatura
• Elevata capacità di cortocircuito, autolimitante a 6 * Icnom
• Latch-up gratuito
• Diodi CAL inversi veloci e morbidi8)
• Piastra di base in rame isolata con collegamento diretto in rame DCB
• Ampia distanza (13 mm) e distanza di dispersione (20 mm).
Applicazioni tipiche:
• Inverter AC su rete 575 - 750 VAC
• Tensione bus CC 750 - 1200 V CC
• Trasporto pubblico (sistema ausiliario)
• Commutazione (non per uso lineare)
1) Tcase = 25 ° C, se non diversamente specificato 2) IF = - IC, VR = 1200 V, - diF / dt = 1000 A / µs, VGE = 0 V
6) I diodi a ruota libera dei tipi GAL, GAR e D1 hanno i dati dei diodi inversi
di SKM 300 GA 173 D
8) CAL = Durata assiale controllata Tecnologia.
Valutazioni e caratteristiche massime
Valori nominali massimi assoluti (Tc = 25 ° C a meno che non sia specificato)
Tensione collettore-emettitore Vces: 1700V
Tensione Gate-Emitter VGES: ± 20V
Corrente del collettore IC: 220A
Corrente di collettore Icp: 440A
Dissipazione potenza collettore Pc: 1250W
Tensione collettore-emettitore VCES: 4000V
Temperatura di giunzione di esercizio Tj: + 150 ° C
Temperatura di stoccaggio Tstg: da -40 a + 125 ° C
Modulo Igbt 1.7kv 220a Semitrans 3.
Shunlongwei ha ispezionato ogni SKM200GAL173D prima della spedizione, tutti gli SKM200GAL173D con 6 mesi di garanzia.