„Diese jüngste Erweiterung unseres langfristigen Wafer-Liefervertrags mit Cree wird weiterhin zur Flexibilität unserer weltweiten Versorgung mit Siliziumkarbid-Substraten beitragen“, sagt ST-CEO Jean-Marc Chery (im Bild). Siliziumkarbid-Lieferung, die die anderen externen Kapazitäten, die wir gesichert haben, und die interne Kapazität, die wir ausbauen, ergänzt. Die Vereinbarung wird dazu beitragen, die hohen Volumina zu decken, die unsere Produktfertigung in den nächsten Jahren mit einer großen Anzahl von Automobil- und Industriekundenprogrammen in hohen Volumina oder im Hochlauf erfordert.“
Die Akzeptanz von SiC-Leistungs-ICs auf dem Automobilmarkt nimmt zu und ermöglicht höhere Systemeffizienzen, die zu Elektrofahrzeugen mit größerer Reichweite und schnellerem Laden bei reduzierten Kosten, Gewicht und Größe führen.
Auf dem Industriemarkt ermöglichen SiC-Chips kleinere, leichtere und kostengünstigere Designs, die Energie effizienter umwandeln, um neue saubere Energieanwendungen zu ermöglichen.
Um diese wachsenden Märkte besser zu unterstützen, sind Gerätehersteller daran interessiert, sich den Zugang zu SiC-Substraten zu sichern.
„Unsere langfristigen Wafer-Lieferverträge mit Geräteherstellern belaufen sich jetzt auf mehr als 1.3 Milliarden US-Dollar und unterstützen unsere Bemühungen, den Übergang der Industrie von Silizium zu Siliziumkarbid voranzutreiben“, sagt Gregg Lowe, CEO von Cree, „unsere Partnerschaften und erheblichen Investitionen in die Erhöhung der Produktionskapazität“. stellen sicher, dass wir gut positioniert sind, um von einer unserer Meinung nach jahrzehntelangen Wachstumschance für Anwendungen auf Siliziumkarbidbasis zu profitieren.“