“Việc mở rộng mới nhất này đối với thỏa thuận cung cấp wafer dài hạn của chúng tôi với Cree sẽ tiếp tục đóng góp vào sự linh hoạt của nguồn cung cấp chất nền silicon cacbua toàn cầu của chúng tôi,” Giám đốc điều hành ST, Jean-Marc Chery (trong ảnh) cho biết “nó sẽ tiếp tục đóng góp quan trọng cho toàn cầu của chúng tôi nguồn cung cấp cacbua silic, bổ sung cho năng lực bên ngoài khác mà chúng tôi đã bảo đảm và năng lực bên trong mà chúng tôi đang phát triển. Thỏa thuận sẽ giúp đáp ứng khối lượng lớn mà hoạt động sản xuất sản phẩm của chúng tôi yêu cầu trong những năm tới, với một số lượng lớn các chương trình khách hàng công nghiệp và ô tô với khối lượng lớn hoặc đang gia tăng. ”
Việc áp dụng IC nguồn SiC đang ngày càng phát triển trên thị trường ô tô, cho phép hiệu quả hệ thống cao hơn, dẫn đến EV có phạm vi hoạt động xa hơn và sạc nhanh hơn với chi phí, trọng lượng và kích thước giảm.
Trong thị trường công nghiệp, chip SiC cho phép thiết kế nhỏ hơn, nhẹ hơn và tiết kiệm chi phí hơn, chuyển đổi năng lượng hiệu quả hơn để cung cấp các ứng dụng năng lượng sạch mới.
Để hỗ trợ tốt hơn cho các thị trường đang phát triển này, các nhà sản xuất thiết bị quan tâm đến việc đảm bảo quyền truy cập vào chất nền SiC.
“Các thỏa thuận cung cấp wafer dài hạn của chúng tôi với các nhà sản xuất thiết bị hiện có tổng trị giá hơn 1.3 tỷ đô la và giúp hỗ trợ nỗ lực của chúng tôi để thúc đẩy quá trình chuyển đổi ngành từ silicon sang silicon cacbua”, Giám đốc điều hành Cree, Gregg Lowe, cho biết: đảm bảo rằng chúng tôi có vị trí tốt để tận dụng những gì chúng tôi tin là cơ hội phát triển trong nhiều thập kỷ cho các ứng dụng dựa trên cacbua silic ”.