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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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BSM25GB120DN2
Hersteller: Infineon
Produktkategorie: IGBT Module
RoHS: Nein
Marke: Infineon Technologies
Produkt: IGBT-Siliziummodule
Konfiguration: Halbbrücke
Sammler-Emitter Spannung VCEO-Max.: 1200 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 ° C: 38 A
Gate-Emitter-Leckstrom: 180 k.A
Maximale Betriebstemperatur: + 150 C
Paket / Fall: Halbbrücke1
Maximale Gate-Emitter-Spannung: 20 V
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C.
Montageart: Schraube
Pd - Verlustleistung: 200 W
Factory Pack Menge: 500
Shunlongwei prüfte jeden BSM25GB120DN2 vor dem Versand, alle BSM25GB120DN2 mit 6 Monaten Garantie.