#БСМ25ГБ120ДН2 Eupec BSM25GB120DN2 New, BSM25GB120DN2 фотографии, BSM25GB120DN2 цена, # BSM25GB120DN2 поставщик
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
БСМ25ГБ120ДН2
Производитель: Infineon
Категория продукта: IGBT Модули
RoHS: Нет
Бренд: Infineon Technologies
Product: Кремниевые модули IGBT
Конфигурация: Половина моста
Коллектор-эмиттер напряжение VCEO Макс: 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.5 V
Постоянный ток коллектора при 25 C: 38
Ток утечки затвор-эмиттер: 180 нА
Максимальная рабочая температура: + 150 С
Пакет / Дело: Половина моста1
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V
Минимальная рабочая температура: - 40 С
Вид монтажа: Винт
Pd - Рассеиваемая мощность: 200 W
Количество в упаковке: 500
Shunlongwei проверил все BSM25GB120DN2 перед отправкой, все BSM25GB120DN2 с 6-месячной гарантией.