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Eメール：sales@shunlongwei.com
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BSM25GB120DN2
メーカー： インフィニオン
製品カテゴリ： IGBT モジュール
RoHS指令： いいえ
メーカー： インフィニオンテクノロジーズ
製品： IGBTシリコンモジュール
構成： ハーフブリッジ
コレクター-エミッター 電圧 VCEO Max： 1200 V
コレクター-エミッター飽和電圧： 2.5 V
25℃での連続コレクタ電流： 38 A
ゲートエミッタリーク電流： 180nA
最高使用温度： + 150℃
パッケージ/ケース： ハーフブリッジ1
最大ゲートエミッタ電圧： 20 V
最小動作温度： -40 C
取り付け様式： スクリュードライバーを使用
Pd –消費電力： 200 W
工場パックの数量： 500
Shunlongweiは、出荷前にすべてのBSM25GB120DN2を検査し、すべてのBSM25GB120DN2を6か月の保証付きで検査しました。