#BSM400GB60DN2 EUPEC BSM400GB60DN2 Neu IGBT Power Modul (Halbbrücke, einschließlich schneller Freilaufdioden, Paket mit isolierter Metallträgerplatte, BSM400GB60DN2-Bilder, BSM400GB60DN2-Preis, #BSM400GB60DN2-Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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Produktkategorie: IGBT Module BSM400GB60DN2
Hersteller: Infineon
RoHS: Nein
Produkt: IGBT Siliziummodule
Konfiguration: Einzeln
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max: 1200 V
Dauerkollektorstrom bei 25 C: 550 A
Pd – Verlustleistung: 2.7 kW
Verpackung/Gehäuse: 62 mm
Maximale Betriebstemperatur: + 150 °C
Marke: Infineon Technologies
Höhe: 36.5 mm
Länge: 106.4 mm
Maximaler Gate-Emitter Spannung: +/- 20 V
Mindestbetriebstemperatur: – 40 °C
Montageart: Schraube
Werkspackungsmenge: 10
Breite: 61.4 mm
IGBT-Leistungsmodul (Halbbrücke), einschließlich schneller Freilaufdioden. Paket mit isolierter Metallträgerplatte
Hersteller: Infineon
RoHS: Nein
Produkt: IGBT Siliziummodule
Konfiguration: Einzeln
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max: 1200 V
Dauerkollektorstrom bei 25 C: 550 A
Pd – Verlustleistung: 2.7 kW
Verpackung/Gehäuse: 62 mm
Maximale Betriebstemperatur: + 150 °C
Marke: Infineon Technologies
Höhe: 36.5 mm
Länge: 106.4 mm
Maximaler Gate-Emitter Spannung: +/- 20 V
Mindestbetriebstemperatur: – 40 °C
Montageart: Schraube
Werkspackungsmenge: 10
Breite: 61.4 mm
IGBT-Leistungsmodul (Halbbrücke), einschließlich schneller Freilaufdioden. Paket mit isolierter Metallträgerplatte
Shunlongwei prüfte jeden BSM400GB60DN2 vor dem Versand, alle BSM400GB60DN2 mit 6 Monaten Garantie.