EUPEC BSM400GB60DN2 Còn hàng

Danh Mục Sản Phẩm:     IGBT Mô-đun BSM400GB60DN2
Nhà sản xuất: Infineon    
RoHS: Không    
Sản phẩm:     IGBT Mô-đun silicon    
Cấu hình: Đơn    
Bộ sưu tập- Bộ phát Vôn VCEO Tối đa: 1200 V    
Dòng thu liên tục ở 25 C: 550 A    
Pd - Công suất tiêu thụ: 2.7 kW    
Gói / Vỏ: 62 mm    
Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 150 C    
Thương hiệu: Infineon Technologies    
Chiều cao: 36.5 mm    
Chiều dài: 106.4 mm    
Bộ phát cổng tối đa Vôn: +/- 20 V    
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 40 C    
Kiểu lắp: Vít    
Gói nhà máy Số lượng: 10    
Chiều rộng: 61.4 mm
Mô-đun nguồn IGBT (Một nửa cầu bao gồm các điốt quay tự do nhanh Gói với tấm bae kim loại cách điện