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Email: sales@shunlongwei.com
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Categoria de Produto: IGBT Módulos BSM400GB60DN2
Fabricante: Infineon
RoHS: Não
Produto: IGBT Módulos de Silício
Configuração: Única
Coletor- Emissor Voltagem VCEO Máx .: 1200 V
Corrente de coletor contínua a 25 C: 550 A
Pd - Dissipação de energia: 2.7 kW
Pacote / Caixa: 62 mm
Temperatura máxima de operação: + 150 C
Marca: Infineon Technologies
Altura: 36.5 mm
Comprimento: 106.4 mm
Emissor máximo de porta Voltagem: +/- 20V
Temperatura Mínima de Operação: - 40 C
Estilo de montagem: parafuso
Quantidade do pacote de fábrica: 10
Largura: 61.4 mm
Módulo de potência IGBT (meia ponte incluindo diodos de roda livre rápida Pacote com placa metálica isolada
Fabricante: Infineon
RoHS: Não
Produto: IGBT Módulos de Silício
Configuração: Única
Coletor- Emissor Voltagem VCEO Máx .: 1200 V
Corrente de coletor contínua a 25 C: 550 A
Pd - Dissipação de energia: 2.7 kW
Pacote / Caixa: 62 mm
Temperatura máxima de operação: + 150 C
Marca: Infineon Technologies
Altura: 36.5 mm
Comprimento: 106.4 mm
Emissor máximo de porta Voltagem: +/- 20V
Temperatura Mínima de Operação: - 40 C
Estilo de montagem: parafuso
Quantidade do pacote de fábrica: 10
Largura: 61.4 mm
Módulo de potência IGBT (meia ponte incluindo diodos de roda livre rápida Pacote com placa metálica isolada
Shunlongwei inspecionado cada BSM400GB60DN2 antes do navio, todos BSM400GB60DN2 com 6 meses de garantia.