Der Fuji 1MBi2400VD-170E ist ein IGBT (Bipolartransistor mit isoliertem Gate) Modulen mit folgenden Merkmalen und Spezifikationen:
Merkmale:
- Niedrige VCE(Sa): Dies weist darauf hin, dass das Modul im eingeschalteten Zustand einen geringen Spannungsabfall (Sättigungsspannung) an den Kollektor-Emitter-Anschlüssen aufweist, was zu geringeren Leistungsverlusten und einem höheren Wirkungsgrad führt.
- Kompaktes Paket: Das Modul ist in einem kompakten Paket konzipiert, was bei begrenzten Platzverhältnissen von Vorteil sein kann.
- PC-Platinenmontage: Es ist für die Montage auf Leiterplatten (PCBs) konzipiert und eignet sich daher für die Integration in elektronische Steuerungssysteme.
- Konverterdiodenbrücke: Das Modul enthält wahrscheinlich eine Diodenbrücke zur Gleichrichtung von AC-Eingangsspannungen in Anwendungen wie Wechselrichtern und Netzteilen.
- Dynamischer Bremskreis: Dieses Merkmal weist auf das Vorhandensein eines dynamischen Bremsmechanismus hin, der für das schnelle Anhalten oder Abbremsen von Motoren in verschiedenen Anwendungen wichtig sein kann.
Sondermaschinen:
- Wechselrichter für Motorantrieb
- AC- und DC-Servoantriebsverstärker
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)
Maximale Bewertungen und Eigenschaften:
- Kollektor-Emitter-Spannung (Vces): 1700 V
- Gate-Emitter-Spannung (VGES): ±20 V
- Kollektorstrom (Ic): 1200A
- Kollektorstrom (Spitze, ICP): 2400 A
- Kollektorverlustleistung (PC): 2700 W
- Kollektor-Emitter-Spannung (VCES): 2500 V
- Betriebstemperatur der Sperrschicht (Tj): +150 °C
- Lagertemperatur (Tstg): -40 bis +125 °C
Drehmoment der Befestigungsschraube: 3.5 N·m (Newtonmeter)