#2di200-100 Fuji 2di200-100 Neue Power Bipolar Transistor 200A I(C) 300V V(BR)CEO 2-Element NPN Silizium-Kunststoff/Epoxidharz 6-polig, 2di200-100 Bilder, 2di200-100 Preis, #2di200-100 Lieferant
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Hersteller-Teilenummer: 2DI200A-020
Ihs Hersteller: FUJI ELECTRIC CO LTD
Paketbeschreibung: FLANSCHHALTERUNG, R-PUFM-X6
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: Fuji Electric Co Ltd.
Gehäuseverbindung: ISOLIERT
Kollektorstrom-Max (IC): 200 A.
Sammler-Emitter Spannung-Max: 300 V.
Konfiguration: 2 BANKEN, DARLINGTON MIT EINGEBAUTER DIODE UND Widerstand
Gleichstromverstärkung-min (hFE): 100
Fallzeit-Max (tf): 3000 ns
JESD-30-Code: R-PUFM-X6
Anzahl der Elemente: 2
Anzahl der Terminals: 6
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: FLANSCHHALTERUNG
Polarität / Kanaltyp: NPN
Verlustleistung Ambient-Max: 500 W.
Verlustleistung-Max (Abs): 500 W.
Anstiegszeit-Max (tr): 2000 ns
Unterkategorie: BIP Allzweckleistung
Aufputz: NR
Terminalform: NICHT SPEZIFIZIERT
Anschlussposition: OBER
Transistorelementmaterial: SILIKON
Ausschaltzeit-Max (Ausschalten): 15000 ns
Einschaltzeit-Max (Tonne): 2000 ns
Leistung Bipolartransistor 200A I (C) 300V V (BR) CEO 2-Element NPN Silizium Kunststoff / Epoxid 6 Pin
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