#2di200-100 Fuji 2di200-100 nouvelle puissance bipolaire Transistor 200A I(C) 300V V(BR)CEO 2 éléments NPN silicium plastique/époxy 6 broches, images 2di200-100, prix 2di200-100, fournisseur #2di200-100
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Référence fabricant: 2DI200A-020
Fabricant IHS: FUJI ELECTRIC CO LTD
Description de l'emballage: MONTAGE À BRIDE, R-PUFM-X6
Code ECCN: EAR99
Fabricant: Fuji Electric Co Ltd
Connexion du boîtier: ISOLÉ
Courant-max du collecteur (IC): 200 A
Collecteur-émetteur Tension-Max: 300 V
Configuration: 2 BANQUES, DARLINGTON AVEC DIODE INTÉGRÉE ET Resistor
Gain de courant CC-Min (hFE): 100
Temps de chute maximum (tf): 3000 ns
Code JESD-30: R-PUFM-X6
Nombre d'éléments: 2
Nombre de terminaux: 6
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style d'emballage: MONTAGE À BRIDE
Polarité / Type de canal: NPN
Dissipation de puissance Ambient-Max: 500 W
Dissipation de puissance-Max (Abs): 500 W
Temps de montée-max (tr): 2000 ns
Sous-catégorie: BIP General Purpose Power
Montage en surface: NON
Forme du terminal: NON SPÉCIFIÉ
Position du terminal: UPPER
Matériau de l'élément de transistor : SILICIUM
Temps d'arrêt maximum (toff): 15000 ns
Temps de mise sous tension-max (tonnes): 2000 ns
Transistor bipolaire de puissance 200A I (C) 300V V (BR) CEO 2-Element NPN Silicon Plastic / Epoxy 6 Pin
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