#SKM200GB063D Semikron SKM200GB063D Neue Leistung IGBT Transistor , SKM200GB063D Bilder, SKM200GB063D Preis, #SKM200GB063D Lieferant
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SKM200GB063D nicht empfohlen für neues Design Merkmale:
.N-Kanal, homogene Siliziumstruktur (NPT – Non Punch-Through IGBT)
Niedriger Schwanzstrom bei geringer Temperaturabhängigkeit
Sehr kurz Schaltung Fähigkeit, selbstlimitierend, wenn Begriff. G ist an E festgeklemmt
.Pos. Temp.-Koeffizient von V CEsat
.50% weniger Ausschaltverluste
.30% weniger Kurzschlussstrom
Sehr niedrige Cies, C oes, C res
Latch-up-freie schnelle und weiche inverse CAL-Dioden
.Isolierte Kupfergrundplatte mit DCB Direct Copper Bonding Technologie ohne harten Schimmel
.Großer Abstand (13 mm) und Kriechstrecken (20 mm)
Typische Anwendungen:
.Schalten (nicht für den Gebrauch)
.Schaltmodus-Netzteile
.AC Wechselrichterservoantriebe
USV unterbrechungsfreie Stromversorgungen
Schweißwechselrichter