#2MBI200SB-120-50 Fuji 2MBI200SB-120-50 New 2MBI200SB-120-50 IGBT Array & Modul Transistor N-Kanal 200 A 2.6 V 1.5 kW 1.2 kV Modul, 2MBI200SB-120-50 Bilder, 2MBI200SB-120-50 Preis, #2MBI200SB-120-50 Lieferant
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2MBI200SB-120-50
Sammler Emitter Spannung V (br) ceo: 1.2 kV
Sammler Emitter Spannung Vces: 2.6 V.
DC-Kollektorstrom: 200A
Anzahl der Pins: 7
Maximale Betriebstemperatur: 150 ° C
Verlustleistung Pd: 1.5 kW
SVHC: Zu empfehlen
Transistorgehäusestil: Modul
Transistorpolarität: N-Kanal
Transistortyp: IGBT Modul
2MBI200SB-120-50 IGBT Array & Modul Transistor N-Kanal 200 A 2.6 V 1.5 kW 1.2 kV Modul
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