#2MBI200SB-120-50 Fuji 2MBI200SB-120-50 New 2MBI200SB-120-50 IGBT Vettore & Moduli Transistor Modulo canale N 200 A 2.6 V 1.5 kW 1.2 kV, immagini 2MBI200SB-120-50, prezzo 2MBI200SB-120-50, fornitore #2MBI200SB-120-50
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2MBI200SB-120-50
Emettitore del collettore voltaggio V (br) amministratore delegato: 1.2kV
Emettitore del collettore voltaggio Vces: 2.6 V.
Corrente di collettore CC: 200 A.
No. of Pins: 7
Temperatura operativa massima: 150 ° C
Dissipazione di potenza Pd: 1.5 kW
SVHC: Da consigliare
Modello Case Transistor: Modulo
Polarità transistor: canale N.
Tipo di transistor: IGBT Moduli
2MBI200SB-120-50 Array e modulo IGBT Transistor Canale N 200 A 2.6 V 1.5 kW 1.2 kV Modulo
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