#2MBI200SB-120-50 Fuji 2MBI200SB-120-50 New 2MBI200SB-120-50 IGBT Tableau & Module Transistor Module canal N 200 A 2.6 V 1.5 kW 1.2 kV, images 2MBI200SB-120-50, prix 2MBI200SB-120-50, fournisseur #2MBI200SB-120-50
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2MBI200SB-120-50
Émetteur collecteur Tension V (br) ceo: 1.2 kV
Émetteur collecteur Tension Vces: 2.6 V
Courant de collecteur CC: 200A
Nombre de broches: 7
Température de fonctionnement max: 150 ° C
Dissipation de puissance Pd: 1.5 kW
SVHC: à conseiller
Type de boîtier de transistor: Module
Polarité du transistor: canal N
Type de transistor: IGBT Module
2MBI200SB-120-50 Réseau et module IGBT Transistor canal N 200 A 2.6 V 1.5 kW Module 1.2 kV
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