ROHM hat mit der Massenproduktion seiner 650-V-GaN-HEMTs GNP1070TC-Z und GNP1150TCA-Z begonnen, die für verschiedene Anwendungen in Stromversorgungssystemen optimiert sind. Diese neuen Produkte werden mit Ancora Semiconductors, Inc. entwickelt, einer Tochtergesellschaft von Delta Electronics, Inc, die GaN-Geräte herstellt.
Nach Beginn der Massenproduktion von 150-V-GaN-HEMTs – mit Gate-Durchbruch Spannung von 8V im Jahr 2022 – das Unternehmen hat die Kontrolle erlangt IC Technologie zur Maximierung der GaN-Leistung. Diesmal bietet die Entwicklung von 650-V-GaN-HEMTs eine marktführende Leistung, die zu höherer Effizienz und kleinerer Größe in einer größeren Vielfalt von Stromversorgungssystemen beiträgt.
Der GNP1070TC-Z und der GNP1150TCA-Z bieten branchenführende Leistung in Bezug auf RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss, ein FoM für GaN-HEMTs, was zu einer höheren Effizienz in Stromversorgungssystemen führt. Gleichzeitig erhöht ein eingebautes ESD-Schutzelement die elektrostatische Durchschlagsfestigkeit auf bis zu 3.5 kV, was zu einer höheren Anwendungszuverlässigkeit führt. Die Hochgeschwindigkeitsschalteigenschaften von GaN-HEMTs tragen auch zu einer stärkeren Miniaturisierung der Peripheriekomponenten bei.
Das Unternehmen verbessert die Geräteleistung durch seine EcoGaN-Reihe von GaN-Geräten weiter und trägt so zu größeren Energieeinsparungen und Miniaturisierung bei. Bei der Entwicklung seiner Produkte wird es auch die gemeinsame Entwicklung durch strategische Partnerschaften fördern, um gesellschaftliche Probleme zu lösen, indem Anwendungen effizienter und kompakter werden.
Typische Anwendungsbeispiele sind verschiedene Stromversorgungssysteme in Industrieanlagen und Verbrauchergeräten, einschließlich Servern und AC-Adaptern.
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