ROHM telah memulakan pengeluaran besar-besaran 650V GaN HEMTs GNP1070TC-Z, dan GNP1150TCA-Z, dioptimumkan untuk pelbagai aplikasi sistem bekalan kuasa. Produk baharu ini dibangunkan dengan Ancora Semiconductors, Inc, sekutu Delta Electronics, Inc, yang menghasilkan peranti GaN.
Selepas memulakan pengeluaran besar-besaran 150V GaN HEMT - menyediakan pecahan pintu voltan daripada 8V pada 2022 – syarikat telah mewujudkan kawalan IC teknologi untuk memaksimumkan prestasi GaN. Kali ini, membangunkan HEMT GaN 650V menyediakan prestasi peneraju pasaran yang menambah kecekapan yang lebih tinggi dan saiz yang lebih kecil dalam pelbagai sistem bekalan kuasa yang lebih luas.
GNP1070TC-Z dan GNP1150TCA-Z memberikan prestasi peneraju industri dari segi RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss, FoM untuk GaN HEMT, yang diterjemahkan kepada kecekapan yang lebih tinggi dalam sistem bekalan kuasa. Pada masa yang sama, elemen perlindungan ESD terbina dalam meningkatkan rintangan kerosakan elektrostatik sehingga 3.5kV, yang membawa kepada kebolehpercayaan aplikasi yang lebih tinggi. Ciri pensuisan berkelajuan tinggi GaN HEMT juga menambah pengecilan komponen persisian yang lebih besar.
Syarikat itu terus meningkatkan prestasi peranti melalui barisan peranti GaN EcoGaNnya, menyumbang kepada penjimatan dan pengecilan aplikasi tenaga yang lebih besar. Semasa membangunkan produknya, ia juga akan menggalakkan pembangunan bersama melalui perkongsian strategik untuk menyelesaikan isu sosial dengan menjadikan aplikasi lebih cekap dan padat.
Contoh aplikasi biasa adalah untuk pelbagai sistem bekalan kuasa dalam peralatan industri dan peranti pengguna, termasuk pelayan dan penyesuai AC.
Lihat lagi: modul IGBT | Memaparkan LCD | Komponen Elektronik