ROHM ha comenzado la producción en masa de sus HEMT de GaN de 650 V GNP1070TC-Z y GNP1150TCA-Z, optimizados para diversas aplicaciones de sistemas de suministro de energía. Estos nuevos productos se desarrollan con Ancora Semiconductors, Inc, una filial de Delta Electronics, Inc, que produce dispositivos GaN.
Después de comenzar la producción en masa de HEMT GaN de 150 V, proporcionando una falla de puerta voltaje de 8V en 2022: la empresa ha establecido el control IC la tecnología para maximizar el rendimiento de GaN. Esta vez, el desarrollo de HEMT GaN de 650 V proporciona un rendimiento líder en el mercado que se suma a una mayor eficiencia y un tamaño más pequeño en una variedad más amplia de sistemas de suministro de energía.
El GNP1070TC-Z y el GNP1150TCA-Z ofrecen un rendimiento líder en la industria en términos de RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss, una FoM para GaN HEMT, lo que se traduce en una mayor eficiencia en los sistemas de suministro de energía. Al mismo tiempo, un elemento de protección ESD incorporado mejora la resistencia a la ruptura electrostática hasta 3.5 kV, lo que lleva a una mayor confiabilidad de la aplicación. Las características de conmutación de alta velocidad de GaN HEMT también se suman a una mayor miniaturización de los componentes periféricos.
La compañía continúa mejorando el rendimiento de los dispositivos a través de su línea EcoGaN de dispositivos GaN, lo que contribuye a un mayor ahorro y miniaturización de las aplicaciones de energía. Mientras desarrolla sus productos, también promoverá el desarrollo conjunto a través de asociaciones estratégicas para resolver problemas sociales al hacer que las aplicaciones sean más eficientes y compactas.
Los ejemplos típicos de aplicación son para varios sistemas de suministro de energía en equipos industriales y dispositivos de consumo, incluidos servidores y adaptadores de CA.
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