MBM200HS12A-Video
Verkaufen MBM200HS12A, Hitachi MBM200HS12A Neuware, IGBT Modul Bereich mit weichen und schnellen (SFD) Freilaufdioden 1200 V 200 A #MBM200HS12A
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Hitachi MBM200HS12A ist ein Leistungshalbleitermodul der Hochleistungs-IGBT mit einer Freilaufdiode kombiniert. Das MBM200HS12A wurde für den Einsatz in Hochleistungsmotorantrieben, USV-Systemen und Stromversorgungen entwickelt.
MBM200HS12A verfügt über eine hohe Blockierung Spannung 1200 V und hohe Stromstärke 200 A. Der Modulen enthält einen eingebauten Temperatursensor und eine Hochgeschwindigkeits-Steuerungsschnittstelle zur einfachen Integration in Steuerungssysteme.
MBM200HS12A hat einen niedrigen Spannungsabfall im Durchlasszustand, was zu weniger Leistungsverlust und höherer Effizienz führt. Die Freilaufdiode bietet einen Pfad für den Stromfluss, wenn der IGBT ausgeschaltet ist, wodurch Schäden am Gerät verhindert und die Zuverlässigkeit verbessert werden.
Das MBM200HS12A ist ein kompaktes und robustes Modul mit einem niedrigen Profil von nur 17 mm und einem Gewicht von 180 g. Er hat eine hohe Isolationsspannung von 2500 Vrms und kann bei hohen Temperaturen von bis zu 150 °C betrieben werden.
Um die Schaltverluste zu minimieren, ist die Verbesserung der Freilaufdioden (FWD) unerlässlich, und Hitachis Version davon ist der Freilauf mit weicher und schneller Wiederherstellung (SFD). Diode.Grundsätzlich wurden Verbesserungen bei den folgenden Schlüsselanforderungen erreicht.
Maximale Bewertungen und Eigenschaften
Absolute Höchstwerte (Tc = 25 ° C, sofern nicht anders angegeben)
Kollektor-Emitter-Spannung Vces: 1200V
Gate-Emitter-Spannung VGES: ± 20V
Kollektorstrom IC Kontinuierliche Tc = 80 ° C: 600 A
Kollektorstrom Icp 1ms Tc=80°C :1200A
Isolationsspannung VIsol (AC 1 Minute): 2500 V
Betriebsübergangstemperatur Tj: + 150 ° C.
Lagertemperatur Tstg: -40 bis + 125 ° C.