Vidéo MBM200HS12A
Vendre MBM200HS12A, Hitachi MBM200HS12A Nouveau stock, IGBT Module Gamme avec diodes à roue libre douces et rapides (SFD) 1200V 200A #MBM200HS12A
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Hitachi MBM200HS12A est un module semi-conducteur de puissance qui combine un IGBT haute puissance avec une diode de roue libre. Le MBM200HS12A est conçu pour être utilisé dans les entraînements de moteur haute puissance, les systèmes UPS et les alimentations.
MBM200HS12A dispose d'un blocage élevé Tension 1200V et courant nominal élevé 200A. Le module comprend un capteur de température intégré et une interface de contrôle à grande vitesse pour une intégration facile dans les systèmes de contrôle.
Le MBM200HS12A a une faible chute de tension à l'état passant, ce qui entraîne moins de perte de puissance et une plus grande efficacité. La diode de roue libre fournit un chemin pour que le courant circule lorsque l'IGBT est éteint, évitant d'endommager l'appareil et améliorant la fiabilité.
Le MBM200HS12A est un module compact et robuste, avec un profil bas de seulement 17 mm et un poids de 180 g. Il a une tension d'isolation élevée de 2500Vrms et est capable de fonctionner à des températures élevées allant jusqu'à 150°C.
Afin de maintenir les pertes de commutation pour améliorer au minimum les diodes de roue libre, (FWD) est essentiel et la version Hitachi de ceci est la roue libre de récupération douce et rapide (SFD) Diode. Fondamentalement, des améliorations ont été apportées aux exigences clés suivantes.
Valeurs et caractéristiques maximales
Valeurs maximales absolues (Tc = 25 ° C sauf indication contraire)
Tension collecteur-émetteur Vces: 1200V
Tension de grille-émetteur VGES: ± 20V
Courant de collecteur IC Tc continu=80°C :600A
Courant collecteur Icp 1ms Tc=80°C :1200A
Tension d'isolation VIsol (CA 1 minute) : 2500 V
Température de jonction de fonctionnement Tj: + 150 ° C
Température de stockage Tstg: -40 à + 125 ° C