วิดีโอ MBM200HS12A
ขาย MBM200HS12A, Hitachi MBM200HS12A หุ้นใหม่, IGBT โมดูล กลุ่มผลิตภัณฑ์ที่มีไดโอดแบบล้ออิสระแบบนุ่มนวลและรวดเร็ว (SFD) 1200V 200A #MBM200HS12A
อีเมล: sales@shunlongwei.com
ฮิตาชิ MBM200HS12A คือ โมดูลสารกึ่งตัวนำไฟฟ้า ที่รวม IGBT กำลังสูงเข้ากับไดโอดอิสระ MBM200HS12A ออกแบบมาเพื่อใช้ในมอเตอร์ไดรฟ์กำลังสูง ระบบ UPS และอุปกรณ์จ่ายไฟ
MBM200HS12A มีบล็อคสูง แรงดันไฟฟ้า 1200V & พิกัดกระแสสูง 200A. เดอะ โมดูล มีเซ็นเซอร์อุณหภูมิในตัวและอินเทอร์เฟซการควบคุมความเร็วสูงเพื่อการรวมเข้ากับระบบควบคุมได้ง่าย
MBM200HS12A มีแรงดันตกคร่อมในสถานะต่ำ ซึ่งส่งผลให้สูญเสียพลังงานน้อยลงและมีประสิทธิภาพสูงขึ้น ไดโอดแบบหมุนอิสระให้เส้นทางสำหรับกระแสไหลเมื่อปิด IGBT ป้องกันความเสียหายต่ออุปกรณ์และปรับปรุงความน่าเชื่อถือ
MBM200HS12A เป็นโมดูลที่มีขนาดกะทัดรัดและทนทาน ด้วยขนาดที่บางเพียง 17 มม. และน้ำหนักเพียง 180 ก. มีแรงดันไฟฟ้าแยกสูง 2500Vrms และสามารถทำงานได้ที่อุณหภูมิสูงถึง 150°C
เพื่อรักษาการสูญเสียการเปลี่ยนไปจนถึงการปรับปรุงไดโอดล้อหมุนฟรีให้น้อยที่สุด (FWD) เป็นสิ่งจำเป็น และรุ่นของฮิตาชิคือรุ่น Soft and Fast Recovery (SFD) ล้อหมุนฟรี ไดโอดโดยพื้นฐานแล้ว การปรับปรุงบรรลุตามข้อกำหนดหลักดังต่อไปนี้
คะแนนและคุณสมบัติสูงสุด
. การให้คะแนนสูงสุดแน่นอน (Tc = 25 ° C เว้นแต่จะไม่มีการระบุ)
แรงดันไฟฟ้า Collector-Emitter: 1200V
แรงดันไฟฟ้า Gate-Emitter VGES: ± 20V
นักสะสมปัจจุบัน IC ต่อเนื่อง Tc=80°C :600A
กระแสสะสม Icp 1ms Tc=80°C :1200A
แรงดันไฟแยก VIsol (AC 1 นาที) :2500V
อุณหภูมิจุดเชื่อมต่อการทำงาน Tj: + 150 ° C
อุณหภูมิในการจัดเก็บ Tstg: -40 ถึง + 125 ° C