Diodes Incorporated hat seine neueste Ergänzung des Portfolios von SiC-Produkten vorgestellt: das N-Kanal-SiC DMWS120H100SM4 MOSFET. Dieses Bauteil erfüllt den Bedarf an höherer Effizienz und Leistungsdichte für Anwendungen, darunter industrielle Motorantriebe, Rechenzentrums- und Telekommunikationsstromversorgungen, Solarwechselrichter, DC/DC-Wandler und Batterieladegeräte für Elektrofahrzeuge.
Das Gerät arbeitet auf Hochtouren Spannung (1200 V) und Drainstrom (bis zu 37 A) bei gleichzeitig niedriger Wärmeleitfähigkeit (RθJC = 0.6 C/W), was es ideal für Anwendungen in rauen Umgebungen macht. Das MOSFET hat einen niedrigen RDS(ON) (typisch) von nur 80 mOhm (für einen 15-V-Gate-Treiber), um Leitungsverluste zu minimieren und einen höheren Wirkungsgrad zu bieten. Außerdem verfügt das Gerät über eine Gate-Ladung von nur 52 nC, um Schaltverluste zu verringern und die Gehäusetemperatur zu senken.
Dieses Bauteil ist der erste SiC-MOSFET, der in einem TO247-4-Gehäuse erhältlich ist. Der zusätzliche Kelvin-Sense-Pin kann mit der Source des MOSFET verbunden werden, um die Schaltleistung zu optimieren und dadurch noch höhere Leistungsdichten zu ermöglichen.
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