Diodes Incorporated ha introdotto la sua ultima aggiunta al portafoglio di prodotti SiC: il SiC a canale N DMWS120H100SM4 mosfet. Questo dispositivo soddisfa la domanda di maggiore efficienza e densità di potenza per applicazioni, tra cui azionamenti di motori industriali, data center e alimentatori per telecomunicazioni, inverter solari, convertitori c.c./c.c. e caricabatterie per veicoli elettrici.
Il dispositivo funziona a un livello elevato voltaggio (1200 V) e corrente di drenaggio (fino a 37 A) pur mantenendo una bassa conduttività termica (RθJC = 0.6 C/W), rendendolo ideale per applicazioni che lavorano in ambienti difficili. Questo MOSFET ha un basso RDS(ON) (tipico) di soli 80 mOhm (per un gate drive da 15 V) per ridurre al minimo le perdite di conduzione e fornire una maggiore efficienza. Inoltre, il dispositivo ha una carica di gate di soli 52 nC per ridurre le perdite di commutazione e abbassare la temperatura del package.
Questo dispositivo è il primo MOSFET SiC disponibile in un contenitore TO247-4. Il pin sensore extra Kelvin può essere collegato alla sorgente del MOSFET per ottimizzare le prestazioni di commutazione, consentendo così densità di potenza ancora più elevate.
Vedi di più: Moduli IGBT | display LCD | Componenti elettronici