A Diodes Incorporated apresentou sua mais recente adição ao portfólio de produtos SiC: o DMWS120H100SM4 N-channel SiC mosfet. Este dispositivo atende à demanda de maior eficiência e densidade de energia para aplicações, incluindo acionamentos de motores industriais, data centers e fontes de alimentação de telecomunicações, inversores solares, conversores DC-DC e carregadores de bateria EV.
O dispositivo funciona em alta Voltagem (1200 V) e corrente de drenagem (até 37 A), mantendo baixa condutividade térmica (RθJC = 0.6C/W), tornando-o ideal para aplicações que trabalham em ambientes agressivos. Esse MOSFET tem um baixo RDS(ON) (típico) de apenas 80mOhm (para um gate drive de 15V) para minimizar perdas de condução e fornecer maior eficiência. Além disso, o dispositivo possui uma carga de porta de apenas 52nC para diminuir as perdas de comutação e diminuir a temperatura do pacote.
Este dispositivo é o primeiro SiC MOSFET disponível em um pacote TO247-4. O pino de detecção Kelvin extra pode ser conectado à fonte do MOSFET para otimizar o desempenho de comutação, permitindo assim densidades de energia ainda maiores.
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