#BSM200GB120DLC Infineon BSM200GB120DLC Neu IGBT: 200A1200V;IGBT-Module 1200V 200A DUAL, BSM200GB120DLC-Bilder, BSM200GB120DLC-Preis, #BSM200GB120DLC-Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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Hersteller: Infineon
Produktkategorie: IGBT-Module
RoHS: Nein
Marke: Infineon Technologies
Produkt: IGBT-Siliziummodule
Konfiguration: Dual
Sammler-Emitter Spannung VCEO-Max.: 1200 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 ° C: 420 A
Gate-Emitter-Leckstrom: 400 k.A
Pd - Verlustleistung: 1550 W
Paket / Fall: 62mm
Maximale Betriebstemperatur: + 125 C
Maximale Gate-Emitter-Spannung: +/- 20 V.
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C.
Montageart: Schraube
Factory Pack Menge: 10
IGBT: 200A1200V; IGBT-Module 1200V 200A DUAL
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