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Courriel: sales@shunlongwei.com
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Fabricant: Infineon
Catégorie de produits: Modules IGBT
RoHS: Non
Marque: Infineon Technologies
Produit: Modules silicium IGBT
Configuration: Double
Collecteur-émetteur Tension VPEO Max : 1200 V
Tension de saturation collecteur-émetteur: 2.1 V
Courant de collecteur continu à 25 C: A 420
Courant de fuite porte-émetteur: 400 na
Pd - Dissipation de puissance: 1550 W
Paquet / Cas: 62 mm
Température de fonctionnement maximale: + 125°C
Tension maximale de l'émetteur de porte: +/- 20V
Température minimale de fonctionnement: - 40 C
Style de montage: Vis
Quantité de paquet d'usine: 10
IGBT: 200A1200V; modules IGBT 1200V 200A DUAL
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